Издателям
Вышедшие номера
Электролюминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии при комнатной температуре
Бреслер М.С.1, Гусев О.Б.1, Захарченя Б.П.1, Кудоярова В.Х.1, Кузнецов А.Н.1, Теруков Е.И.1, Фус В.1, Яссиевич И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

В полупроводниковой структуре, состоящей из слоя аморфного кремния, легированного эрбием и нанесенного на подложку из кристаллического кремния n-типа, наблюдалась электролюминесценция при комнатной температуре. При смещении гетероперехода аморфный кремний--кристаллический кремний в обратном направлении (знак ''минус'' на подложке) наблюдается линия излучения ионов эрбия, соответствующая переходам в f-оболочке; при смещении в прямом направлении --- линия излучения свободного экситона в кристаллическом кремнии. Показано, что механизм возбуждения электролюминесценции обусловлен электронами аморфной матрицы при захвате их на D0-центры с передачей энергии в f-оболочку ионов эрбия за счет кулоновского взаимодействия.
  • Zheng B., Michel J., Ren F.Y.G., Kimerling L.C., Jacobson D.C., Poate J.M. Appl. Phys. Lett. 64, \it 21, 2842 (1994)
  • Bresler M.S., Gusev O.B., Kudoyarova V.Kh., Kuznetsov A.H., Pak P.I., Terukov E.I., Yassievich I.N., Zakharchenya B.P., Fuhs W., Sturm A. Appl. Phys. Lett. 67, \it 24, 3599 (1995)
  • Marakhonov V., Rogachev N., Ishkalov J., Marakhonov J., Terukov E., Chelnokov V.J. Non-Cryst. Sol. 137\&138, \it 1, 817 (1991)
  • Street R.A., Biegelsen D.K., Weisfield R.L. Phys. Rev. B30, \it 10, 5861 (1984)
  • Abakumov V.N., Perel V.I., Yassievich I.N. Nonradiative Recombination in Semiconductors. North Holland. Amsterdam (1991). P. 172
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.