В полупроводниковой структуре, состоящей из слоя аморфного кремния, легированного эрбием и нанесенного на подложку из кристаллического кремния n-типа, наблюдалась электролюминесценция при комнатной температуре. При смещении гетероперехода аморфный кремний-кристаллический кремний в обратном направлении (знак ''минус'' на подложке) наблюдается линия излучения ионов эрбия, соответствующая переходам в f-оболочке; при смещении в прямом направлении - линия излучения свободного экситона в кристаллическом кремнии. Показано, что механизм возбуждения электролюминесценции обусловлен электронами аморфной матрицы при захвате их на D⁰-центры с передачей энергии в f-оболочку ионов эрбия за счет кулоновского взаимодействия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.