Методом ЭПР исследовано влияние предварительной термообработки кремния и последующего облучения протонами или alpha-частицами на образование собственных междоузельных дефектов в монокристаллическом кремнии. Показано, что центр Si-PK4 связан с термостабильным до 770 K комплексом междоузельных атомов кремния. Обнаружено и исследовано сверхтонкое взаимодействие от изотопа 29Si. Предложена структурная модель дефектного центра Si-PK4, представляющего собой пару < 001 >-расщепленных собственных междоузельных атомов кремния.
Brower K.L. Phys. Rev. B14, 3, 872 (1976)
Watkins G.D. In: Lattice Defects in Semiconductors Ed. F.A. Huntley Inst. of Phys., London (1974). P. 1
Lee Y.H., Kim Y.M., Corbett J.W. Rad. Eff. 15, 77 (1972)
Daly D.F. J. Appl. Phys. 42, 864 (1971)
Lee Y.H., Corbett J.W. Solid State. Commun. 15, 1781 (1974)
Lee Y.H., Gerasimenko N.N., Corbett J.W. Phys. Rev. B14, \it 10, 4506 (1976)
Mu E., Wao J.C., Wu S.X., Yan M.X., Qin G.G. Phys. Lett. A118, \it 7, 347 (1986)
Lee Y.H., Brosious P.R., Corbett J.W. Rad. Eff. 22, 169 (1974)
Lee Y.H., Corbett J.W. Phys. Rev. 134, 1359 (1964)
Lee Y.H., Corbett J.W. Phys. Rev. B8, 6, 2810 (1973)
Myakenkaya G.S., Gutsev G.L., Gerasimenko N.N., Frolov V.V., Chubisov M.A., Corbett J.W. Rad. Eff. and Defects in Sol. 129, 199 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук