Идентификация методом ЭПР собственного междоузельного комплекса в кремнии
Тожибаев Г.О.1, Махкамов Ш.М.1, Горелкинский Ю.В.1, Турсунов Н.А.1, Махов М.А.1
1Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 28 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.
Методом ЭПР исследовано влияние предварительной термообработки кремния и последующего облучения протонами или alpha-частицами на образование собственных междоузельных дефектов в монокристаллическом кремнии. Показано, что центр Si-PK4 связан с термостабильным до 770 K комплексом междоузельных атомов кремния. Обнаружено и исследовано сверхтонкое взаимодействие от изотопа 29Si. Предложена структурная модель дефектного центра Si-PK4, представляющего собой пару < 001 >-расщепленных собственных междоузельных атомов кремния.
- Brower K.L. Phys. Rev. B14, 3, 872 (1976)
- Watkins G.D. In: Lattice Defects in Semiconductors Ed. F.A. Huntley Inst. of Phys., London (1974). P. 1
- Lee Y.H., Kim Y.M., Corbett J.W. Rad. Eff. 15, 77 (1972)
- Daly D.F. J. Appl. Phys. 42, 864 (1971)
- Lee Y.H., Corbett J.W. Solid State. Commun. 15, 1781 (1974)
- Lee Y.H., Gerasimenko N.N., Corbett J.W. Phys. Rev. B14, \it 10, 4506 (1976)
- Mu E., Wao J.C., Wu S.X., Yan M.X., Qin G.G. Phys. Lett. A118, \it 7, 347 (1986)
- Lee Y.H., Brosious P.R., Corbett J.W. Rad. Eff. 22, 169 (1974)
- Lee Y.H., Corbett J.W. Phys. Rev. 134, 1359 (1964)
- Lee Y.H., Corbett J.W. Phys. Rev. B8, 6, 2810 (1973)
- Myakenkaya G.S., Gutsev G.L., Gerasimenko N.N., Frolov V.V., Chubisov M.A., Corbett J.W. Rad. Eff. and Defects in Sol. 129, 199 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук