Вышедшие номера
СТМ-контакт с пассивированной водородом поверхностью кремния N-типа как точечный Оже-транзистор с туннельным МОП-эмиттером
Болотов Л.Н.1, Макаренко И.В.1, Титков А.Н.1, Векслер М.И.1, Грехов И.В.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Впервые показано, что в обратносмещенном контакте сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) с пассивированной водородом поверхностью n-Si может реализовываться транзисторный режим работы. Его возникновение связано с выявленной возможностью накопления неосновных носителей (дырок) у таким образом приготовленной поверхности Si. Обнаружено, что освещение СТМ-контакта позволяет управлять инжекцией электронов в зону проводимости посредством изменения концентрации дырок у поверхности аналогично тому, как это делается в планарном Оже-транзисторе с туннельным металл--окисел--полупроводник (МОП) эмиттером. При большом смещении на туннельном зазоре имеет место инжекция горячих электронов, которые вызывают Оже-ионизацию в Si, приводящую к бистабильности СТМ-контакта и связанному с ней гистерезису. Состояние с высокой плотностью тока при этом поддерживается за счет внутреннего источника дырок --- Оже-процесса. Полученные результаты показывают, что СТМ-контакт с полупроводниковой поверхностью может рассматриваться как точечная модель туннельной МОП-структуры.
  1. Kaiser W.J., Bell L.D. J. Vac. Sci. Technol. A6, \it 2, 519 (1988)
  2. Берковиц В.Л., Иванцов Л.Ф., Макаренко И.В., Львова Т.В., Сафаров В.И. ФТП 25, 3, 379 (1991)
  3. Silver R.M., Dagata J.A., Tseng W. J. Appl. Phys. 76, \it 9, 5122 (1994)
  4. Gwo S., Smith A.R., Shih S.K., Sadra K., Streetman B.G. Appl. Phys. Lett. 61, \it 9, 1104 (1992)
  5. Weimer M., Kramar J., Baldeschwieler J.D. Phys. Rev. B39, \it 8, 5572 (1989)
  6. Bolotov L.N., Makarenko I.V., Shulekin A.F., Titkov A.N. Surf. Sci. 331--333, 468 (1995)
  7. Грехов И.В., Остроумова Е.В., Рогачев А.А., Шулекин А.Ф. Письма в ЖТФ 17, \it 13, 44 (1991)
  8. Болотов Л.Н., Козлов В.А., Макаренко И.В., Титков А.Н. ФТП 27, \it 8, 1375 (1993)
  9. Ishizaka A., Shiraki Y. J. Electrochem. Soc. 133, \it 4, 666 (1986)
  10. Bolotov L.N., Makarenko I.V., Titkov A.N., Shulekin A.F. Abstracts of the 22nd Int. Conference on the Physics of Semiconductors. Vancouver. Canada (1994). V. 1. 463 c
  11. Lai S.K., Dressendorfer P.V., Ma T.P., Barker R.C. Appl. Phys. Lett. 38, \it 1, 41 (1981)
  12. Grekhov I.V., Shulekin A.F., Vexler M.I., Ext. Abstracts of the Int. Conf. on Solid State Devices \& Materials (SSDM-94). Yokohama. Japan. (1994). 535 c
  13. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М. (1984). Т. 1. С. 187
  14. Yoshimoto T., Suzuki K. Jpn. J. Appl. Phys. 32, \it 2, L180 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.