Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические исследования экситонных спектров в эпитаксиальных пленках GaN

Нельсон Д.К.¹, Мельник Ю.В.¹, Селькин А.В.¹, Якобсон М.А.¹, Дмитриев В.А.¹, Ирвин К.Ж.¹, Картер мл. К.Х.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 24 июля 1995 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Измерены низкотемпературные экситонные спектры люминесценции, отражения и поглощения света эпитаксиальных пленок GaN/6H-SiC. Из анализа спектров впервые определены силы осцилляторов и значения диссипативного затухания экситонных резонансов . Исследование температурной зависимости люминесценции GaN позволило выделить вклады в излучение свободных и связанных экситонов.

Fiorentini Y., Methfessel M., Scheffler M. Phys. Rev. B47, 13353 (1993)
Dingle R., Sell D.D., Stokowski S.E., Ilegems M. Phys. Rev. B4, \it 4, 1211 (1971)
Hopfield J.J., Thomas D.G. Phys. Rev. 132, 563 (1963)
Певцов А.Б., Селькин А.В. ЖЭТФ 83, 516 (1982)
Алиев Г.Н., Кощуг О.С., Сейсян Р.П. ФТТ 36, \it 2, 373 (1994)
Monemar B. Phys. Rev. B10, 2, 676 (1974)
Нокс Р. Теория экситонов. М. (1966). 220 с
Шварц В. Тр. ИФА АН ЭССР 7 (1956)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель