Вышедшие номера
Нелинейная люминесценция и динамическое уширение экситонных линий GaAs/AlGaAs-структур при стационарном оптическом возбуждении
Абрамова И.Н.1, Герловин И.Я.1, Долгих Ю.К.1, Елисеев С.А.1, Овсянкин В.В.1, Ефимов Ю.П.1, Игнатьев И.В.1, Петров В.В.1, Шабанов С.В.1
1Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

При температуре 15 K исследована зависимость спектров экситонной люминесценции слоев GaAs, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии, от плотности возбуждающего излучения (He--Ne-лазер). Исследованы сверхлинейный рост интенсивности и существенное уширение линий свободных и связанных экситонов при изменении мощности возбуждения от 0.01 до 3 mW. На основании анализа концентрационных изменений ширины экситонных линий сделан вывод о том, что основным механизмом уширения является сокращение времени фазовой релаксации экситонов за счет рассеяния на фотовозбужденных носителях.
  1. Shah J., Leheny R.F., Wiegmann W. Phys. Rev. B16, 1577 (1977)
  2. Fehrenbach G.W., Shafer W., Treunsch J., Uibrich R.G. Phys. Rev. Lett. 49, 1281 (1982)
  3. Schultheis L., Kuhl J., Honold A., Tu C.W. Phys. Rev. Lett. 57, 1635 (1986)
  4. Жиляев Ю.В., Маркарян Г.Р., Россин В.В., Россина Т.В., Травников В.В. ФТТ, 28, \it 9, 2688 (1986)
  5. Srinivas V., Chen Y.I., Wood C.E.C. Solid State Commun. 89, 611 (1994)
  6. Wolford D.J., Gilliland G.D., Kuech T.F., Bradley J.A., Hjalmarson H.P. In: The Physics of Semiconductors / Ed. P.Jiang and H.Z.Zheng. World Scientific Publishing Co. Singapore (1992). P. 241

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.