Вышедшие номера
Термостимулированная емкость в диодах на основе пористого кремния
Астрова Е.В.1, Белов С.В.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Исследованы вольт-фарадные характеристики и спектры термостимулированной емкости в светоизлучающих диодах на основе пористого кремния. Обнаружен ряд особенностей, отличающих эти характеристики и спектры от МДП-структур и диодов Шоттки. Полученные результаты интерпретируются как перезарядка глубоких ловушек в структуре. Сделана оценка их параметров и концентрации: Et~= 0.5... 0.7 eV, Nt~= 1016 cm-3.