Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термостимулированная емкость в диодах на основе пористого кремния

Астрова Е.В.¹, Белов С.В.¹, Лебедев А.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 мая 1995 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы вольт-фарадные характеристики и спектры термостимулированной емкости в светоизлучающих диодах на основе пористого кремния. Обнаружен ряд особенностей, отличающих эти характеристики и спектры от МДП-структур и диодов Шоттки. Полученные результаты интерпретируются как перезарядка глубоких ловушек в структуре. Сделана оценка их параметров и концентрации: E_t~= 0.5... 0.7 eV, N_t~= 10¹⁶ cm^-3.

Canham L.T. MRS, Proc. 283 (1992)
Koyama H., Araki M., Yamamoto Y., Koshida N. J. Appl. Phys. 30, 3606 (1991)
Fathauer R.W., George T., Kswndzov A., Vasquez R.P. Appl. Phys. Lett. 60, 995 (1992)
Старухин А.Н., Лебедев А.А., Разбирин Б.С., Капитонова Л.М. Письма в ЖТФ 18, \it 16, 60 (1992)
Halimaovi A., Oules C., Bomchil G. Appl. Phys. Lett. 59, \it 3, 304 (1991)
Koshida N., Koyama H. Appl. Phys. Lett. 60, 347 (1992)
Белов С.В. Письма в ЖТФ 18, 24, 16 (1992)
Koch F., Petrova-Koch V., Muschik T., Nikolov A., Gavrilеnko V. MRS, Proc. 283, 197 (1992)
Sah C.T. Sol. Stat. Electron. 19, \it 12, 975 (1976)
Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л. (1981). 176 с
Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М. (1985). 264 с
Астрова Е.В., Белов С.В., Лебедев А.А. ФТП 28, \it 2, 332 (1994)
Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В. ФТП 28, \it 3, 494 (1994)
Ламперт М., Марк П.Л. Инжекционные токи в твердых телах. Пер. с англ. М. (1973). 416 с
Белов С.В., Зайцев О.А., Лебедев А.А. Письма в ЖТФ 21, \it 3, 30 (1995)
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М. (1984). Кн. 1. 456 с
Изворян А.А. ФТП 21, 1, 160 (1987)
Сальман Е.Г., Коршунов А.Н., Вертопрахов В.Н. Препринт Ин-та неорган. химии СО АН СССР N 90-07. Новосибирск (1990)
Broniatowski A. Phys. Rev. B36, 11, 5895 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель