Эмиссия электронов из слабого сегнетоэлектрика гептагерманата лития
Сидоркин А.С.1, Логинов П.В.1, Саввинов А.М.1, Кудзин А.Ю.1, Короткова Н.Ю.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 29 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
Экспериментально обнаружена эмиссия электронов в слабом сегнетоэлектрике - гептагерманате лития, - стимулированная изменением температуры образца и переключением приложенного электрического поля. Эмиссия, стимулированная полем, существует в определенном температурном интервале и для полей выше порогового. Предполагается, что она возникает при превышении приложенным полем коэрцитивного поля материала.
- Кортов В.С., Минц Р.И. ФТТ 9, 6, 1828
- Косцов А.М., Сидоркин А.С., Зальцберг В.С., Грибков С.П. ФТТ 24, \it11, 3436 (1982)
- Biedrzycki K., Le Bihan R. Ferroelectrics 126, 253 (1992)
- Rosenman G. Abstracts 11th Int. Symp. E.E.E. and Applications. Poland (1994) P. 14
- Розенман Г.И., Охапкин В.А., Чепелев Ю.А., Шур В.Я. Письма в ЖЭТФ. 39, \it 9, 397 (1984)
- Gundel H., Riege H., Wilson E.J.N., Handerek J., Zioutas K. Ferroelectrics, 100, 1 (1989)
- Таганцев А.К. Письма в ЖЭТФ. 45, 7, 352 (1987)
- Кортов В.С., Слесарев А.И., Рогов В.В. Экзоэмиссионный контроль поверхности деталей после обработки. Киев (1986). 176 с
- Карпус В., Перель В.И. Письма в ЖЭТФ. 42, \it 10, 403 (1985)
- Король Э.Н. ФТТ 19, 8, 1266 (1977)
- Sidorkin A.S., Darinskii B.M., Lazarev A.P., Kostsov A.M. Ferroelectrics 143, 209 (1993)
- Волнянский М.Д., Кудзин А.Ю., Швец Т.В. ФТТ 32, \it 10, 3134 (1990)
- Сидоркин А.С., Косцов А.М., Зальцберг В.С., Грибков С.П. ФТТ 27, \it 7, 2200 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.