Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1996, выпуск 2 » Статья стр. 563
<<<>>>
Изменение работы выхода электронов с поверхности полупроводников A 3B 5 при сульфидной пассивации
Бессолов В.Н.1, Иванков А.Ф.1, Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
PDF версия
Изучалось изменение работы выхода электронов при обработке поверхности полупроводников A3B5 в водных растворах сульфида натрия. Показано, что в процессе сульфидной пассивации существенную роль играет как исходная электронная структура поверхности полупроводника перед сульфидированием, так и состояние сульфид-иона в растворе. Предложена и экспериментально проверена на примере GaAs, GaP и InP модель процесса взаимодействия сульфид-иона с валентными электронами полупроводника при сульфидировании его поверхности. В ходе этого взаимодействия происходит изменение электрохимического потенциала (уровня Ферми) полупроводника так, что изменяется работа выхода электронов с его поверхности. Величина изменения работы выхода зависит от температуры сульфидирования и линейно уменьшается с увеличением исходной работы выхода несульфидированного полупроводника, причем наклон этой зависимости определяется атомной структурой сульфидированной поверхности полупроводника. У полупроводника, исходная работа выхода которого равна эффективной электроотрицательности сульфид-иона в растворе, работа выхода не меняется при сульфидировании. Эффективная электроотрицательность сульфид-иона в растворе зависит от ионности химической связи сульфидируемого полупроводника.
  1. Sandroff C.J., Nottenburg R.N., Bischoff J.-C., Bhat R. Appl. Phys. Lett. 51, \it 1, 33 (1987)
  2. Sandroff C.J., Hegde M.S., Farrow L.A., Bhat R., Harbinson J.P., Chang C.C. J. Appl. Phys. 67, \it 1, 586 (1990)
  3. Oigawa H., Fan J.-F., Nannichi Y., Sugahara H., Oshima M. Jpn. J. Appl. Phys. 30, \it 3A, L322 (1991)
  4. Iyer R., Chang R.R., Dubey A., Lile D.L. J. Vac. Sci. Technol. B6, \it 4, 1174 (1988)
  5. Nottenburg R.N., Sandroff C.J., Humphrey D.A., Hollenbeck D.A., Bhat R. Appl. Phys. Lett. 52, \it 3, 218 (1988)
  6. Carpenter M.S., Melloch M.R., Lundstrom M.S., Tobin S.P. Appl. Phys. Lett. 52, \it 25, 2157 (1988)
  7. Fan J.-F., Oigawa H., Nannichi Y. Jpn. J. Appl. Phys. 27, \it 7, L1331 (1988)
  8. Howard A.J., Ashby C.I.H., Lott J.A., Scheneider R.P., Corless R.F. J. Vac. Sci. Technol. A12, \it 4, 1063 (1994)
  9. Бессолов В.Н., Лебедев М.В., Львова Т.В., Новиков Е.Б. ФТТ 34, \it 6, 1713 (1992)
  10. Bessolov V.N., Lebedev M.V., Novikov E.B., Tsarenkon B.V. J. Vac. Sci. Technol. B11, \it 1, 10 (1993)
  11. Carpenter M.S., Melloch M.R., Cowans B.A., Dardas Z., Delgas W.N. J. Vac. Sci. Technol. B7, \it 4, 845 (1989)
  12. Sandroff C.J., Hegde M.S., Chang C.C. J. Vac. Sci. Technol. B7, \it4, 841 (1989)
  13. Besser R.S., Helms C.R. Appl. Phys. Lett. 52, \it 20, 1707 (1988)
  14. Berkovits V.L., Bessolov V.N., L'vova T.V., Novikov E.B., Safarov V.I., Khassieva R.V., Tsarenkov B.V. J. Appl. Phys. 70, \it 7, 3707 (1991)
  15. Koenders L., Blomacher M., Monch W. J. Vac. Sci. Technol. B6, \it 4, 1416 (1988)
  16. Бессолов В.Н., Иванков А.Ф., Коненкова Е.В., Лебедев М.В. Письма в ЖТФ 21, \it 1, 46 (1995)
  17. Бессолов В.Н., Ершов С.Г., Иванков А.Ф., Лебедев М.В. ФТТ 36, \it 12, 3601 (1994)
  18. Electronegativity / Ed. K.D.Sen, C.K.Jorgensen, Springer-Verlag. Berlin (1987). P. 220
  19. Parr R.G., Donnelly R.A., Levy M., Palke W.E. J. Chem. Phys. 68, \it 8, 3801 (1978)
  20. Parr R.G., Pearson R.G. J. Am. Chem. Soc. 105, \it 26, 7512 (1983)
  21. Klopman G. J. Am. Chem. Soc. 90, 2, 223 (1968)
  22. Piquini P., Fazzio A., Dal Pino A., Jr. Surf. Sci. 313, 41 (1994)
  23. Van Genechten K.A., Mortier W.J., Geerlings P. J. Chem. Phys. 86, \it 9, 5063 (1987)
  24. Phillips J.C. Rev. Mod. Phys. 42, 3, 317 (1970)
  25. Lu Z.H., Graham M.J., Feng X.H., Yang B.X. Appl. Phys. Lett. 60, \it 22, 2773 (1992)
  26. Lu Z.H., Graham M.J. J. Appl. Phys. 75, \it 11, 7567 (1994)
  27. Berkovits V.L., Padet D. Appl. Phys. Lett. 61, \it 15, 1835 (1992)
  28. Wang X.-S., Weinberg W.H. J. Appl. Phys. 75, \it 5, 2715 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme