Вышедшие номера
Изменение работы выхода электронов с поверхности полупроводников A 3B 5 при сульфидной пассивации
Бессолов В.Н.1, Иванков А.Ф.1, Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Изучалось изменение работы выхода электронов при обработке поверхности полупроводников A3B5 в водных растворах сульфида натрия. Показано, что в процессе сульфидной пассивации существенную роль играет как исходная электронная структура поверхности полупроводника перед сульфидированием, так и состояние сульфид-иона в растворе. Предложена и экспериментально проверена на примере GaAs, GaP и InP модель процесса взаимодействия сульфид-иона с валентными электронами полупроводника при сульфидировании его поверхности. В ходе этого взаимодействия происходит изменение электрохимического потенциала (уровня Ферми) полупроводника так, что изменяется работа выхода электронов с его поверхности. Величина изменения работы выхода зависит от температуры сульфидирования и линейно уменьшается с увеличением исходной работы выхода несульфидированного полупроводника, причем наклон этой зависимости определяется атомной структурой сульфидированной поверхности полупроводника. У полупроводника, исходная работа выхода которого равна эффективной электроотрицательности сульфид-иона в растворе, работа выхода не меняется при сульфидировании. Эффективная электроотрицательность сульфид-иона в растворе зависит от ионности химической связи сульфидируемого полупроводника.