Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2023
- 1 2 3 4 5
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронно-стимулированные реакции дефектов в ковалентных полупроводниках

Свиридов В.В.¹

¹Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия Voronezh State Pedagogical University, Voronezh, Russia

Поступила в редакцию: 18 октября 1994 г.

Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе общих представлений о природе ковалентной связи построена последовательная общая схема расчета зависимости скоростей реакций дефектов в полупроводнике от положения уровней и квазиуровней Ферми. При конкретизации вида электронного спектра дефекта на основе общей схемы становится возможным удобное аналитическое описание электронно-стимулированных реакций дефектов (ЭСРД). Такое описание построено для модели с симметричной динамикой электронных термов, предположительно отвечающей состоянию нарушенной валентной связи в кремнии. Из него непосредственно очевидны условия наступления ЭСРД и оценки возможной величины эффекта. Учет влияния многоэлектроннных эффектов на заполнение электронных состояний дефекта оказывается принципиально необходимым, так как определяет величину и даже знак эффекта ЭСРД.

Белявский В.И., Капустин Ю.А., Свиридов В.В. ФТП 25, \it 7, 1204 (1991)
Lang D.V. Ann. Rev. Mater. Sci. 12, 377 (1982)
Maeda K., Takeuchi S. Techn. Rep. ISSP Ser. A, 10, \it 2806 (1994)
Hirsch P.B. Inst. Phys. Conf. Ser. 67, 1 (1983)
Бондаренко И.Е., Ерофеев В.Н., Никитенко В.Н. ЖЭТФ 64, \it 6, 2196 (1973)
Белявский В.И., Даринский Б.М., Свиридов В.В. ФТТ 27, \it 4, 1088 (1985)
Weeks J.D., Tully J.C., Kimerling L.C. Phys. Rev. B12, \it 8, 3286 (1975)
Петухов Б.В., Сухарев В.Я. ФТТ 13, 12, 3679 (1981)
Шейнкман М.К. Письма в ЖЭТФ 38, 6, 278 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель