На основе общих представлений о природе ковалентной связи построена последовательная общая схема расчета зависимости скоростей реакций дефектов в полупроводнике от положения уровней и квазиуровней Ферми. При конкретизации вида электронного спектра дефекта на основе общей схемы становится возможным удобное аналитическое описание электронно-стимулированных реакций дефектов (ЭСРД). Такое описание построено для модели с симметричной динамикой электронных термов, предположительно отвечающей состоянию нарушенной валентной связи в кремнии. Из него непосредственно очевидны условия наступления ЭСРД и оценки возможной величины эффекта. Учет влияния многоэлектроннных эффектов на заполнение электронных состояний дефекта оказывается принципиально необходимым, так как определяет величину и даже знак эффекта ЭСРД.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.