Вышедшие номера
Формирование структурных дефектов в гетероэпитаксиальных слоях CdTe и CdZnTe, выращенных на GaAs
Логинов Ю.Ю.1, Браун П.Д.2, Хамфрейс К.Дж.2
1Красноярский государственный университет, Красноярск, Россия
2Университет г. Кембридж, Великобритания
Поступила в редакцию: 13 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Методами просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии исследовано формирование структурных дефектов в эпитаксиальных системах 111CdTe/001GaAs, 111CdTe/111GaAs, 001CdTe/001GaAs и 001HgMnTe/001CdTe/001GaAs, выращенных методом металлорганической парофазовой эпитаксии, а также методом молекулярно-пучковой эпитаксии в сверхструктуре 001CdZnTe//001CdZnTe/001GaAs.
  1. Brown P.D., Hails J.E., Russell G.J., Woods J. J. Cryst. Growth 86, 511 (1988)
  2. Sugiyama I., Hobbs A., Saito T., Ueda O., Shinohara K., Takigawa H. J. Cryst. Growth 117, 161 (1992)
  3. Cheng T.T., Aindow M., Jones I.P., Hails J.E., Williams D.J., Astles M.G. J.Cryst. Growth 135, 409 (1994)
  4. Kawano M., Oda N., Sasaki T., Ichihashi T., Iijima S., Kanno T., Saga M. J. Cryst. Growth 117, 171 (1992)
  5. Kleebe H.J., Hamilton W.J., Ahlgren W.L., Johnson S.M., Ruhle M. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 161, 63 (1990)
  6. Brown P.D., Golding T.D., Russell G.J., Dinan J.H., Woods J. Microscopy of Semicond. Mater. Inst. Phys. Bristol N.Y. (1989). Ser. N 100. P. 357--362
  7. Brown P.D., Kelly H., Clifton P.A., Mullins J.T., Simmons M.Y., Durose K., Brinkman A.W., Golding T.D., Dinan J. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 216, 427 (1991)
  8. Miles R.H., Wu G.Y., Johnson M.B., McGill T.C., Faurie J.P., Sivananthan S. Appl. Phys. Lett. 48, 1383 (1986)
  9. Mathieu H., Allegre J., Chatt A., Lefebvre P., Faurie J.P. Phys. Rev. B38, 7740 (1988)
  10. Cibert J., Andre R., Deshayes C., Dang Le Si, Okumura H., Tatarenko S., Fenillet G., Jounean P.H., Mallard R., Saminadayar K. J. Cryst. Growth 117, 424 (1992)
  11. Cullis A.G., Chew N.G., Irvine S.J.C., Giess J. Microscopy Semicond. Mater. Inst. Phys. Bristol (1987). Ser. N 87. P. 141--146
  12. Brown P.D., Loginov Y.Y., Mullins J.T., Durose K., Brinkman A.W., Humphreys C.J. J. Cryst. Growth 138, 538 (1994)
  13. Patriarche G., Tromson Carli A., Riviere J.P., Triboulet R., Marfaing Y., Castaing J. Phys. Stat. Sol. (a) 138, 437 (1993)
  14. Sabinina I.V., Gutakovskii A.K., Sidorov Yu.G., Kuzmin V.D. Phys. Stat. Sol. (a) 126, 181 (1991)
  15. Angelo J.E., Gerberich W.W., Stobbs W.M., Bratina G., Sorba L., Franciosi A. Phil. Mag. Lett. 67, \it 4, 279 (1993)
  16. Sabinina I.V., Gutakovskii A.K., Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Kuzmin V.D. J. Cryst. Growth 117, 238 (1992)
  17. Otsuka N., Kolodziejski L.A., Genshor R.L., Datta S., Bicknell R.N., Schetzina J.F. Appl. Phys. Lett. 46, 860 (1985)
  18. Lu P.Y., Williams L.M., Chu S.N.G. J. Vacuum. Sci. Technol. A4, 2137 (1986)
  19. Hobbs A., Ueda O., Nishijima Y., Ebe H., Shinohara K., Umebu I. J. Cryst. Growth 126, 605 (1993)
  20. Al-Allak H.M., Brinkman A.W., Clifton P.A., Brown P.D. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 216, 35 (1991)
  21. Chew N., Cullis A.G. Ultramicroscopy 23, 175 (1987)
  22. Durose K., Russell G.J. J. Cryst. Growth 101, 246 (1990)
  23. Cohen-Solal G., Bailly F., Barde M. J. Cryst. Growth 138, 68 (1994)
  24. Ayers J.E., Ghandhi S.K., Schowalter L.J. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 209, 661 (1991)
  25. Booker G.R., Titchmarsh J.M., Fletcher J., Darby D.B., Hockley M., Al-Jassim M. J. Cryst. Growth 45, 407 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.