Вышедшие номера
Некоторые особенности формирования пленок SrTiO3 и Ba0.5Sr0.5TiO3 при магнетронном распылении
Гольцман Б.М.1, Зайцева Н.В.1, Крецер Ю.Л.1, Леманов В.В.1, Шаплыгина Т.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

Ba0.5Sr0.5TiO3 SrTiO3 В работе исследовались состав и структура пленок SrTiO3 и Ba0.5Sr0.5TiO3, полученных ВЧ магнетронным распылением и подвергнутых последующему высокотемпературному отжигу, в зависимости от положения подложки относительно магнетрона. Установлено, что положение подложки влияет на отклонение стехиометрического состава пленок SrTiO3 с сторону избытка титана либо стронция, на интенсивность диффузии алюминия из подложки в пленку при отжиге, на возможность возникновения вспучивания пленок при отжиге, на тип осевой текстуры пленок . Показано, что отжиг резко усиливает текстуру пленок. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых закономерностей.
  1. Томашпольский Ю.Я., Севостьянов М.А., Ратников Г.Е., Федотов А.Ф. Кристаллография \bf 20, \it 1, 194 (1975)
  2. Дудкевич В.П., Фесенко Е.Г. Физика сегнетоэлектрических пленок. Изд-во Ростовского ун-та (1979). С. 190
  3. Вендик О.Г., Ильинский Л.С., Смирнов А.Д., Хижа Г.С. ЖТФ \bf 54, \it 4, 772 (1984)
  4. Surowiak Z., Margolin A.M., Zaharchenko J.N., Biryukov S.V. Thin Solid Films \bf 176, \it 2 227 (1989)
  5. Балашова Е.В., Гольцман Б.М., Ефимова Т.П., Зайцева Н.В., Мосина Г.Н., Сорокин Л.М. ФТТ \bf 35, \it 2, 442 (1993)
  6. Jshinose N., Ogiwara T. Jpn. J. Appl. Phys. \bf32, pt 1, \it 9B, 4115 (1993)
  7. Yamamuchi S., Yabuta H., Sakuma T., Miasaka Y. Appl. Phys. Lett. \bf 64, \it 13, 1644 (1994)
  8. Sundgren J., Johanssen B.O., Karlsson S.E., Hentzell H.T.G. Thin Solid Films 105, \it 4, 367 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.