Вышедшие номера
Фазовый переход в кристаллах HgTeS при высоком давлении
Щенников В.В.1, Гавалешко Н.П.1, Фрасуняк Ф.М.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 19 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

  1. Bridgman P.W. Proc. Amer. Acad. Arts. Sci. \bf 74, \it 3, 21 (1940)
  2. Blair J., Smith A.L. Phys. Rev. Lett. \bf 7, \it 4, 124 (1961)
  3. Jayaraman A., Klement W.Jr., Kennedy G.C. Phys. Rev. \bf 130, \it 6, 2277 (1963)
  4. Омельченко А.В., Сошников В.И. Изв. АН СССР. Неорган. материалы \bf 18, \it 4, 685 (1982)
  5. Miller A.J., Saunders G.A., Yogurtchu Y.K., Abey A.E. Phil. Mag. \bf A43, \it 6, 1447 (1981)
  6. Lombos B.A., Chicopoulos B., Bhattacharya S., Pant B.C. Can. J. Phys. \bf 54, \it 1, 48 (1976)
  7. Щенников В.В., Гавалешко Н.П., Фрасуняк В.М. ФТТ \bf 35, \it 2, 389 (1993)
  8. Narita S., Egawa M., Suizu K., Katayama M., Mizykami S. J. Appl. Phys. \bf 2, \it 3, 151 (1973)
  9. Верещагин Л.Ф., Кабалкина С.С. Рентгеноструктурные исследования при высоком давлении. М. (1979). 174 с
  10. Зеегер К. Физика полупроводников. М. (1977). 615 с
  11. Берченко Н.Н., Кревс В., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. М. (1982). 208 с
  12. Цидильковский И.М., Щенников В.В., Глузман Н.Г. ФТТ \bf 24, \it 9, 2658 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.