Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О природе уровней дефектов в полупроводниковых соединениях типа A4B6
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 5 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.
Исследованы условия, при которых наблюдаемые в полупроводниках A4B6 уровни дефектов возможно описать как принадлежащие электрически активным комплексам точечных дефектов. В модели зонного спектра полупроводников A4B6 в приближении сильной связи аналитически рассмотрена задача об энергетическом спектре локализованных состояний с глубокими уровнями комплекса из двух точечных дефектов и исследовано их зарядовое состояние.
- Narrow-Gap Semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics / G.Nimtz, B.Schlicht. Rd.: G.Hohler. Berlin--Heidelberg--N.Y.--Tokyo (1983). V. 98. P. 1--117
- Кайданов В.И., Равич Ю.И. УФН 145, 1, 51 (1985)
- Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И. ФТП \bf26, \it2, 201 (1992)
- Akimov B.A., Dmitriev A.V., Khokhlov D.R., Ryabova L.I. Phys. Stat. Sol. (a) \bf137, \it9, 9 (1994)
- Parada N.J., Pratt G.W. Phys. Rev. Lett. \bf22, \it5, 180 (1969)
- Parada N.J. Phys. Rev. B3, 6, 2042 (1971)
- Hemstreet L.A. Phys. Rev. B11, 6, 2260 (1975)
- Hemstreet L.A. Phys. Rev. B12, 4, 1212 (1975)
- Волков Б.А., Панкратов О.А. ЖЭТФ \bf75, \it4 (\it10), 1362 (1978)
- Волков Б.А., Панкратов О.А., Сазонов А.В. ЖЭТФ \bf85, \it 4 (\it10), 1395 (1983)
- Волков Б.А., Панкратов О.А. ЖЭТФ \bf88, \it1, 280 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
