Фононные флуктуации и эффект псевдолегирования в неоднородных аморфных полупроводниках. III. Оптическое и термическое возбуждение носителей заряда с учетом флуктуаций фононных полей
Лигачев В.А.1
1Московский энергетический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.
Показано применение количественного соотношения, определяющего зависимость вероятности обнаружения состояния фононной системы от ее полной энергии и размеров области пространственной когерентности фононов, для анализа взаимосвязи между оптическими и электрическими параметрами неоднородных полупроводниковых материалов.
- Skettrup T. Phys. Rev. B18, 6, 2622 (1978)
- Kody G.D., Tiedje B., Abeles B. Phys. Rev. Lett. \bf 47, 1480 (1981)
- Лигачев В.А., Гордеев В.Н., Филиков В.А., Сулеман Х. ФТП \bf 25, \it 9, 1536 (1991)
- Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева и Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат (1991). 1232 с
- Vanecek M., Stuchlik J., Kocka J., Triska A. J. Non-Cryst. Sol. \bf 77\&78, 299 (1985)
- Jackson W.B. Phys. Rev. B31, 5187 (1985)
- Звягин И.П. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. М. (1984). 192 с
- Маделунг О. Физика твердого тела. Локализованные состояния. М. (1985). 184 с
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М. (1977). 672 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук