Вышедшие номера
Фононные флуктуации и эффект псевдолегирования в неоднородных аморфных полупроводниках. III. Оптическое и термическое возбуждение носителей заряда с учетом флуктуаций фононных полей
Лигачев В.А.1
1Московский энергетический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

Показано применение количественного соотношения, определяющего зависимость вероятности обнаружения состояния фононной системы от ее полной энергии и размеров области пространственной когерентности фононов, для анализа взаимосвязи между оптическими и электрическими параметрами неоднородных полупроводниковых материалов.
  1. Skettrup T. Phys. Rev. B18, 6, 2622 (1978)
  2. Kody G.D., Tiedje B., Abeles B. Phys. Rev. Lett. \bf 47, 1480 (1981)
  3. Лигачев В.А., Гордеев В.Н., Филиков В.А., Сулеман Х. ФТП \bf 25, \it 9, 1536 (1991)
  4. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева и Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат (1991). 1232 с
  5. Vanecek M., Stuchlik J., Kocka J., Triska A. J. Non-Cryst. Sol. \bf 77\&78, 299 (1985)
  6. Jackson W.B. Phys. Rev. B31, 5187 (1985)
  7. Звягин И.П. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. М. (1984). 192 с
  8. Маделунг О. Физика твердого тела. Локализованные состояния. М. (1985). 184 с
  9. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М. (1977). 672 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.