Вышедшие номера
Фононные флуктуации и эффект псевдолегирования в неоднородных аморфных полупроводниках. III. Оптическое и термическое возбуждение носителей заряда с учетом флуктуаций фононных полей
Лигачев В.А.1
1Московский энергетический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

Показано применение количественного соотношения, определяющего зависимость вероятности обнаружения состояния фононной системы от ее полной энергии и размеров области пространственной когерентности фононов, для анализа взаимосвязи между оптическими и электрическими параметрами неоднородных полупроводниковых материалов.