Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вакансионные дефекты в карбиде кремния

Гирка А.И.¹, Мохов Е.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 апреля 1995 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом аннигиляции позитронов исследованы собственные дефекты в монокристаллах и эпитаксиальных слоях SiC. Установлено, что в кристаллах SiC, выращенных методом Лели, политипов 6H, 4H, 15R, 3C, время жизни позитронов (tau) различается незначительно и близко к времени жизни позитронов в бездефектной матрице (tau_B). Очевидно, это свидетельствует об относительно низкой концентрации вакансионных дефектов в политипах SiC (C_v < 5· 10¹⁶ cm^-3). Более высокие tau характерны для образцов SiC, выращенных методом сублимации при температуре T<2100^oC в избытке паров Si. Делается вывод о наличии в этих кристаллах повышенной концентрации углеродных вакансий на уровне (3-5)· 10¹⁷ cm^-3, что подтверждается также результатами исследования диффузии бора в SiC. Избыточные неравновесные вакансии частично сохраняются при отжиге до T=2400^oC.

Vodakov Yu.A., Mokhov E.N. Inst. Phys. Conf. Ser., \it 137, Ch 3, 197 (1994)
Водаков Ю.А., Гончаров Е.Е., Ломакина Г.А., Мальцев А.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Рамм М.Г., Рябова Г.Г. ФТП \bf 21, \it 2, 207 (1987)
Левин В.И., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. ФТП \bf 18, \it 7, 1194 (1984)
Гирка А.И., Мокрушин А.Д., Мохов Е.Н., Осадчиев В.М., Свирида С.В., Шишкин А.В. ЖЭТФ \bf 97, \it 2, 578 (1990)
Pensl G., Choyke W.J. Physica B185, 264 (1993)
Il'in V.A., Ballandovich V.A. Defect and Diffusion Forum \bf 103/105, 633 (1993)
Shaffer P.T.B. Mater. Res. Bull. 4s, 97 (1969)
Сорокин Н.Д., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Чернов М.А. ДАН СССР \bf 262, \it 6, 1380 (1982)
Knippenberg W.F. Phil. Res. Rep. 18, 161 (1963)
Birnie D.P., Kingery W.D. J. Mater. Sci. \bf 25, 2827 (1990)
Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н. ФТТ \bf 24, \it 5, 1377 (1982)
Dlubek G., Krause P. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 102, \it 2, 443 (1987)
Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г. ФТТ \bf 19, \it 9, 1812 (1977)
Vodakov Yu.A., Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.D. Krist. und Techn. \bf 14, \it 6, 729 (1979)
Mokrushin A.D., Girka A.I., Shishkin A.V. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 128, \it 1, 31 (1991)
Talvar D.N., Feng Z.C. Phys. Rev. \bf B44, \it 7, 3191 (1991)
Moore W.J. J. Appl. Phys. 74, 3, 1805 (1993)
Brandt W. Appl. Phys. 5, 1 (1974)
Гончаров Е.Е., Рябова Г.Г., Мохов Е.Н. Isotopenpraxis \bf 20, \it 12, 452 (1984)
Водаков Ю.А., Жумаев Н., Зверев Б.П., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Семенов В.В., Симахин Ю.Ф. ФТП \bf 11, \it 2, 373 (1977)
Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Рамм М.Г., Соколов В.И. ФТП \bf 20, \it 8, 1433 (1986)
Водаков Ю.А., Калабухова Е.Н., Лукин С.Н., Лепнева А.А., Мохов Е.Н., Шанина Б.Д. ФТТ \bf 33, \it 11, 3315 (1991)
Андреев А.П., Виолин Э.Е., Левин В.И., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Яременко П.Е. ФТП \bf 24, \it 5, 821 (1990)
Мохов Е.Е., Рамм М.Г., Водаков Ю.А. Высокочистые вещества \it 3, 98 (1992)
Мальцев А.А., Мохов Е.Н. Письма в ЖТФ \bf 18, \it 14, 41 (1992)
Левин В.И., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. ФТП \bf 18, 7 1194 (1984)
Freitas J.A., Bishop S.G., Nordquist P.E.R., Gipe M.-L. Appl. Phys. Lett. \bf 52, \it 20, 1695 (1988)
Wang C., Bernhole J., Davis R.F. Phys. Rev. \bf 38, \it 17, 12752 (1988)
Dannefaer S., Craigen D., Kerr D. Phys. Rev. \bf B51, \it 3, 1928 (1995)
Мохов Е.Н., Гончаров Е.Е., Рябова Г.Г. ФТП \bf 18, \it 1, 49 (1984)
Itoh H., Yoshikawa M., Nashigama I., Misawa S., Okumura H., Yoshida S. J. Electronic Mater. \bf 21, \it 7, 707 (1992)
Sitnikova A.A., Mokhov E.N., Radovanova E.I. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 135, K45 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель