Издателям
Вышедшие номера
Формирование регулярных доменных структур и особенности переключения спонтанной поляризации в кристаллах танталата лития при дискретном облучении электронами
Коханчик Л.С.1, Иржак Д.В.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: mlk@ipmt-hpm.ac.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

Сообщается об исследовании процессов формирования доменных структур в кристаллах танталата лития толщиной ~300mum при их облучении электронами в растровом электронном микрокопе. Были использованы последовательные дискретные квазиточечные облучения электронным лучом по поверхности -Z-срезов. Такой способ рисования электронным лучом позволил управлять величиной внедряемого заряда и исследовать влияние расстояний между условно точечными зарядами на формирумые при переключении доменные структуры. Исследовано влияние направления перемещения луча при внесении облучений на ширину доменных линий. Сформирована доменная решетка периодом в 12 mum на -z-грани кристалла с переходом в глубине кристалла к структуре 2D-типа. Работа частично поддержана грантом РФФИ N 09-02-00609a.
  1. A.C.G. Nutt, V. Gopalan, M.C. Gupta. Appl. Phys. Lett. 60, 2828 (1992)
  2. R.W. Keys, A. Loni, R.M. De La Rue, C.N. Ironside, J.H. Marsh, B.J. Luff, P.D. Townsend. Electron. Lett. 26, 188 (1990)
  3. Hsu Wei-Yung, Mool C. Gupta. Appl. Phys. Lett. 60, 1 (1992)
  4. M. Fujimura, K. Kintaka, T. Suhara, H. Nishihara. J. Lightwave Techn. 11, 1360 (1993)
  5. C. Restoin, S. Massy, C. Darraud-Taupiac, A. Barthelemy. Opt. Mater. 22, 193 (2003)
  6. J. Son, Y. Yuen, S.S. Orlov, L. Hesselink. J. Cryst. Growth 128, 492 (2005)
  7. J. He, S.H. Tang, Y.Q. Qin, P. Dong, H.Z. Zhang, C.H. Kang, W.X. Sun, Z.X. Shen. J. Appl. Phys. 93, 9943 (2003)
  8. V. Dierolf, C. Sandmann. Appl. Phys. Lett. 84, 3987 (2004)
  9. И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. Наука, М. (1969). 407 с
  10. T.E. Evethart, P.H. Hoff. J. Appl. Phys. 42, 5837 (1971)
  11. D.B. Li, D.R. Strachan, J.H. Ferris, D.A. Bonnel. J. Mater. Res. 21, 935 (2006)
  12. S. Kim, V. Gopalan. J. Appl. Phys. 90, 2949 (2001)
  13. A. Chernykh, V. Shur, E. Nikolaeva, E. Shishkin, A. Shur, K. Terabe, S. Kurimura, K. Gallo. Mater. Sci. Eng. B 120, 109 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.