К расчету диэлектрических и оптических свойств широкозонных полупроводников
Давыдов С.Ю.1, Тихонов С.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
Методом связывающих орбиталей Харрисона рассчитаны высоко- и низкочастотные линейная и билинейная диэлектрические восприимчивости, зависимость высокочастотной линейной восприимчивости от давления и электрооптические коэффициенты для алмаза, карбида кремния и нитридов бора, алюминия и галлия.
- Silicon Carbide and Related Materials. Proc. of the Fifth Conf. / Ed. M. G. Spencer. Institute of Physics Conference Series. N 137. Bristol and Philadelphia (1993). P. 737
- Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. М. (1983). Т. 1. 381 с
- Harrison W.A. Phys. Rev. B24, 10, 5835 (1981)
- Harrison W.A. Phys. Rev. B27, 6, 3592 (1983)
- Давыдов С.Ю., Леонов Е.И. ФТТ 29, 10, 2890 (1987)
- Kastner M. Phys. Rev. B6, 6, 2273 (1972)
- Wemple S.H. J. Chem. Phys. 67, 5, 2151 (1977)
- Давыдов С.Ю., Леонов Е.И. ФТТ 30, 5, 1326 (1988)
- Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. М. (1979). 639 с
- Таблицы физических величин. Справочник / Под ред. И.К.Кикоина. М. (1976). 1008 с
- Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев (1987). 608 с
- Физические величины. Справочник / Под ред. И.С.Григорьева, Е.З.Мейлихова. М. (1991). 1232 с
- Miragliotta J., Brydon W.A., Kistenmacher T.J., Wickenden D.K. In Ref. \ref[1]. P. 537--540
- Levine B.F. Phys. Rev. B7, 6, 2600 (1973)
- Moss D.J., Sipe J.E., van Driel H.M. Phys. Rev. \bf B36, \it 18, 9708 (1987)
- Довгий Я.О., Китык И.В. ФТТ 33, 2, 416 (1991)
- Китык И.В. ФТТ 33, 6, 1826 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.