Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
-1.3mmЛокализация экситонов в кристаллах Cd1- xMn xTe-1.3mm вблизи температуры фазового перехода парамагнетик--спиновое стекло
Букивский П.Н.1, Гнатенко Ю.П.1, Рожко А.Х.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 23 января 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
Установлено, что для кристаллов Cd1-xMnxTe (x=0.127) форма M0X-линии излучения в области T=1.8/4.5 K определяется вкладами в излучение экситонов, локализованных на флуктуациях как кристаллического поля (КП), так и намагниченности кристалла. Последний вклад практически определяет излучение при T=1.8 K. При повышении температуры до 4.5 K M0X-линия излучения в основном соответствует излучению экситонов, локализованных на флуктуациях потенциала КП. Появление сильных флуктуаций намагниченности связано с наличием в данных кристаллах в области температур, близких к температуре фазового перехода в состояние спинового стекла, локальных внутренних магнитных полей. Показано, что локализации экситонов на флуктуациях намагниченности предшествует их локализация на флуктуациях потенциала КП. Обнаружена анизотропия глубины локализации экситонов на флуктуациях намагниченности в слабых внешних магнитных полях (H=0.35 T): глубина локализации для поляризации E|| H больше, чем в случае E normal H. Анизотропия глубины локализации экситонов проявляется также в форме M0X-линии излучения: вклад излучения экситонов, локализованных на флуктуациях намагниченности, больший для поляризации E|| H, чем для E normal H.
- Букивский П.Н., Гнатенко Ю.П., Рожко А.Х. ФТТ \bf30, \it3, 683 (1988)
- Насибов А.С., Суслина Л.Т., Федоров Д.Л., Коростелин Ю.В., Шапкин П.В., Марков Л.С. ФТТ \bf31, \it10, 70 (1989)
- Dietl T., Spalek J. Phys. Rev. \bf B 28, \it3, 1548 (1983)
- Spalek J., Kossut J. Solid. Stat. Commun. \bf61, \it8, 483 (1987)
- Ram-Mohan L.R., Wolff P.A. Phys. Rev. \bf B 38, \it2, 1330 (1988)
- Семенов Ю.Г., Стефанович В.А. ЖЭТФ \bf101, \it3, 1024 (1992)
- Heiman D., Wolff P.A., Wornock J. Phys. Rev. \bf B 27, \it8, 4848 (1983)
- Heiman D., Becla P., Kerhaw R., Ridgley D., Dwight K., Wold A., Galaska R.R. Phys. Rev. \bf B 34, \it6, 3961 (1986)
- Wong K.S., Hayes W., Ryan J.F., Ramdas A.K. J. Phys. \bf C 19, \it35, 1829 (1986)
- Nurmiko A.V. J. Lumin. 30, 1--4, 355 (1985)
- Гнатенко Ю.П. Автореф. докт.дисс. Киев (1992)
- Bugaiski M., Becla P., Wolff P.A., Heiman D., Ram L.R. Phys. Rev. \bf B 38, \it18, 10512 (1988)
- Golnik A., Ginter J., Gaj J.A. J. Phys. \bf C 16, \it31, 6073 (1983)
- Рябченко С.М., Семенов Ю.Г., Терлецкий О.В. ФТТ \bf27, \it10, 2901 (1985)
- Gnatenko Yu.P., Bukivsky P.N., Rozhko A.Kh., Shigiltchov Abstracts of International Workshop on Semimagnetic Semiconductors. Linz (1994). P. 142
- Аблязов Н.Н., Райх М.Э., Эфрос А.Л. ФТТ \bf 25, \it2, 353 (1983)
- Bhagat S.M., Sayadian H.A. J. Magn. Magn. Mater. \bf61, \it1--2, 151 (1986)
- Jakovlev D.R. Abstracts of International Workshop on Semimagnetic Semiconductors. Linz (1994). P. 42
- Кусраев Ю.Г., Кудинов А.В. ФТТ \bf36, \it7, 2088 (1994)
- Giebultowiesz T., Lebech B., Buras B., Minor W., Kera H., Galaska R.R. J. Appl. Phys. \bf55, \it6, 2305 (1984)
- Heiman D., Warnock J., Wolff P.A. Solid. Stat. Commun. \bf52, \it11, 909 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
