Исследованы свойства микроконтакта металл-аморфный полупроводник в тепловом режиме. Предложена простая модель, описывающая зависимость дифференциального сопротивления от тока через контакт с учетом фазовых превращений в приконтактной области. Показано, что в случае объемного аморфного полупроводника a-GaSb, синтезируемого в условиях высокого давления, теория и эксперимент хорошо согласуются друг с другом, причем микроконтактная методика может быть использована для изучения процесса кристаллизации образца. Важным преимуществом такого метода является то обстоятельство, что необратимые изменения происходят только в приконтактной области, в то время как практически весь объем образца остается в аморфном состоянии. Обнаружено, что энергия активации процесса кристаллизации E_a в микроконтактном эксперименте для a-GaSb составляет E_a=440±40 meV и оказывается примерно в три раза меньше величины E_a, соответствующей квазиравновесному изотермическому отжигу. Данная аномалия указывает на то, что действие высокой плотности тока через микроконтакт не сводится к чисто тепловому перегреву среды, а наблюдаемое расхождение энергии активации, по-видимому, обусловлено возникновением режима аномальной диффузии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.