Издателям
Вышедшие номера
Краевое поглощение в кристаллах Bi12SiO20
Панченко Т.В.1, Копылова С.Ю.1, Осецкий Ю.Г.1
1Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 5 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

В области температур 80--600 K исследовано краевое поглощение кристаллов Bi12SiO20, содержащих дефекты нестехиометрии в катионных подрешетках, а также кристаллов Bi12SiO20, легированных ионами Al и Ga. Показано, что при значениях коэффициента поглощения alpha>alphat выполняется правило Урбаха, при alpha<alphat имеют место непрямые переходы с участием оптических фононов. Величина alphat зависит от температуры. Параметры правила Урбаха закономерно изменяются при нарушении стехиометрии по соотношению Bi : Si. Выявлены особенности изоабсорбционных зависимостей и параметра sigma, характеризующего температурное изменение краевого поглощения.
  1. Hou S.L., Lauer R.B., Aldrich R.E. J. Appl. Phys. \bf44, \it6, 2652 (1973)
  2. Futro A.T. J. Phys. Chem. Sol. \bf40, \it11, 201 (1979)
  3. Efendiev Sh.M, Bagiev V.E., Zeinally A.Ch. Phys. Stat. Sol. (a). \bf50, K141 (1978)
  4. Реза А.А., Сенулене Д.Б., Беляев В.А., Леонов Е.И. Письма в ЖТФ \bf5, \it8, 465 (1979)
  5. Эфендиев Ш.М., Мамедов А.М., Багиев В.Э., Эйвазова Г.М. ФТТ \bf22, \it12, 3705 (1980)
  6. Эфендиев Ш.М., Мамедов А.М., Багиев В.Э., Эйвазова Г.М. ЖТФ \bf51, \it8, 1755 (1981)
  7. Ермаков М.Г., Хомич А.В., Перов П.И., Горн И.А., Куча В.В. Микроэлектроника \bf11, \it5, 424 (1982)
  8. Панченко Т.В., Трусеева Н.А. УФЖ \bf29, \it8, 1186 (1984)
  9. Senuliene D., Babonas G., Leonov E.I., Muminov I., Orlov V.M. Phys. Stat. Sol. \bf84, 113 (1984)
  10. Efendiev Sh.M., Bagiev V.A., Zeinally A.Ch., Balashov V.A., Lomonov V.A., Majer A.A. Phys Stat. Sol. (a) \bf69, K19 (1981)
  11. Obershmid R. Phys. Stat. Sol. (a) 89, 263 (1985)
  12. Grabmaier B.C., Obershmid R. Phys. Stat. Sol. (a) \bf96, 199 (1986)
  13. Довгий Я.О., Заморский М.К., Михайлин В.В., Колобанов В.Н. Изв. вузов. Физика, \it4, 110 (1986)
  14. Гудаев О.А., Седельников А.П. ФТТ \bf29, \it3, 946 (1987)
  15. Эфендиев Ш.М., Мамедов А.М., Багиев В.Э. ФТТ \bf30, \it10, 3169 (1988)
  16. Panchenko T.V., Truseeva N.A., Osetsky Yu.G. Ferroelectrics \bf129, 113 (1992)
  17. Колосов Е.Е., Леонов Е.И., Подольский В.В., Шилова М.В. Изв. АН СССР. Неорган. материалы \bf19, \it4, 683 (1983)
  18. Toyoda T., Maruyama S., Nakanishi H., Endo S., Irie T. J. Phys. D.: Appl. Phys. \bf18, L87 (1985)
  19. Toyoda T., Maruyama S., Nakanishi H., Endo S., Irie T. J. Phys. D.: Appl. Phys. \bf19, 909 (1986)
  20. Toyoda T., Nakanishi H., Endo S., Irie T. J. Phys. C.: Solid. State Phys. \bf19, L259 (1986)
  21. Панченко Т.В., Кудзин А.Ю., Костюк В.Х. Изв. АН СССР \bf19, \it7, 1144 (1983)
  22. Hill O.F., Brice J.C. J. Mat. Sci. \bf9, \it8, 1252 (1974)
  23. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М. (1977). С. 366
  24. Futro A.T. J. Phys. Chem. Sol. \bf40, \it1, 201 (1979)
  25. Mahr H. Phys. Rev. 125, 1510 (1962)
  26. Woidovsky W., Lukasiewicz T., Nazariwicz W., Zmija J. Phys. Stat. Sol. (b) \bf94, \it2, 649 (1979)
  27. Zamenin V.I. Phys. Stat. Sol. (b) 124, 625 (1984)
  28. Бурак Я.В., Сай А.С., Борман К.Я. ФТТ \bf29, \it4, 1256 (1984)
  29. Takamori T., Just D. J. Appl. Phys. \bf67, \it2, 848 (1990)
  30. Abrahams S.C., Jamieson P.B., Berustien J.L. J. Chev. Phes. \bf47, 4034 (1967)
  31. Каргин Ю.Ф., Марьин А.А., Скориков В.М. Изв. АН СССР. Неорган. материалы \bf10, 1605 (1982)
  32. Леонов Е.И., Семенов А.Е., Щербаков А.Г. ФТТ \bf28, \it5, 1590 (1986)
  33. Якубовский М.А., Заметин В.И., Рабкин Л.М. ФТТ \bf22, \it12, 3523 (1980)
  34. Toyozawa Y. Techn. Rep. ISSP A119, 68 (1964)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.