Издателям
Вышедшие номера
Рентгенолюминесценция ионных кристаллов в сильных электрических полях
Куликов В.Д.1, Лисицын В.М.1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 6 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

Исследовалось влияние внешнего электрического поля напряженностью ~ 2.4· 104 V/cm на свечение ионных кристаллов CaF2, KBr, NaCl. Обнаружено увеличение интенсивности экситонной люминесценции в 1.3/ 1.4 раза. Делается вывод о том, что рост синглетной и триплетной люминесценции под действием сильного электрического поля обусловлен эффектом Онзагера.
  1. Куликов В.Д., Лисицын В.М. Деп. в ВИНИТИ 11.10.85, рег. N 7202-B
  2. Мустель Е.Р., Парыгин В.Н. Методы модуляции и сканирования света. М. (1970). 295 с
  3. Williams R.T., Kabler M.N., Hayes W., Stott S.P. Phys. Rev. \bf B14, \it 2, 725 (1976)
  4. Воробьев А.А., Воробьев Г.А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. М. (1966). 224 с
  5. Эланго М.А. Элементарные неупругие радиационные процессы. М. (1988). 145 с
  6. Портнягин А.С., Мильман И.П., Кортов В.С. ФТТ \bf 33, \it 8, 2258 (1991)
  7. Портнягин А.С., Мильман И.П., Кортов В.С. ФТТ \bf 34, \it 5, 1444 (1992)
  8. Ikezawa M., Kojima T. J. Phys. Soc. Jap. \bf 27, \it 6, 1551 (1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.