Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Об электронном фазовом переходе металл--изолятор в сильно легированных компенсированных полупроводниках (СЛКП)

Даунов М.И.¹, Камилов И.К.¹, Елизаров В.А.¹

¹Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Поступила в редакцию: 7 декабря 1994 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получен уточненный критерий перехода металл-изолятор в сильно легированных компенсированных полупроводниках (СЛКП) и показано, что корреляция в расположении заряженных примесей понижает критическую концентрацию носителей заряда. Выяснено, на примере СЛКП n-InSb, что коэффициент K_c=1-n_c/N_d (где n_c - критическая концентрация электронов, N_d - концентрация доноров) в области промежуточного легирования проходит через минимум.

Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. ЖЭТФ \bf 60, \it 2, 867 (1971); \bf 61, \it 2(8), 816 (1971)
Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М. (1979). 416 с
Цидильковский И.М. УФН \bf 152, \it 4, 583 (1987); Электронный спектр бесщелевых полупроводников. Свердловск (1991). 224 с
Гуляев Ю.В., Плесский В.П. ЖЭТФ \bf 71, \it 4(10), 1475 (1976)
Stern F., Dixon J.R. J. Appl. Phys. 30, 2, 268 (1959)
Пенцов А.В., Словодчиков С.В. ФТП 9, 7, 1233 (1975)
Батукова Л.М., Данилов В.И., Звонков Б.Н., Карпович И.А. ФТП \bf 16, \it 6, 99 (1982)
Келдыш Л.В., Прошко Г.П. ФТТ 5, 12, 3378 (1963)
Яременко Н.Г. ФТП 9, 5, 840 (1975)
Гершензон Е.М., Ильин В.А., Куриленко И.Н., Литвак-Горская А.Б. ФТП \bf 9, \it 7, 1324 (1975)
Камилов И.К., Даунов М.И., Елизаров В.А., Магомедов А.Б. ЖЭТФ \bf 104, \it 1(7), 2436 (1993); Письма в ЖЭТФ \bf 54, \it 10, 589 (1991)
Putly E.H. Semiconductors and Semimetals. N.Y. (1966). V. 1. P. 289
Somerford D.J. J. Phys. Ser. C. 4, 1570 (1971)
Аронзон Б.А., Чумаков Н.К. ФТТ. 31, 4, 10 (1989)
Шкловский Б.И., Эфрос А.Д. ЖЭТФ 64, 6, 2222 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель