Предпринята попытка построения физической модели, объясняющей обнаруженную экспериментально взаимосвязь между изменением оптических и электрических параметров неоднородных аморфных полупроводниковых материалов, наблюдаемую при варьировании условий их приготовления и легировании. Анализируются достоинства и недостатки модели Скеттрапа, в рамках которой оптические переходы между электронными уровнями материала рассматриваются с учетом флуктуаций чисел заполнения фононных мод в пределах области их пространственной когерентности. Рассматривается более общая (многофононная) модель, учитывающая электрон-фононное взаимодействие со всеми акустическими фононными модами в пределах ячейки, характерные размеры которой могут составлять десятки, сотни или тысячи средних межатомных расстояний. Предполагается, что области пространственной когерентности фононов в материале могут быть отождествлены с ''глобулами'', ''столбами'' и другими видами имеющих устойчивую форму неоднородностей, наблюдаемых в аморфных полупроводниковых материалах методами электронной микроскопии. Предварительный анализ показал, что новый подход на качественном уровне позволяет объяснить взаимосвязь между размерами областей пространственной когерентности и характеристической энергией края поглощения Урбаха.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.