Издателям
Вышедшие номера
Фононные флуктуации и эффект псевдолегирования в неоднородных аморфных полупроводниках I. Модель Скеттрапа и морфология полупроводника
Лигачев В.А.1
1Московский энергетический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

Предпринята попытка построения физической модели, объясняющей обнаруженную экспериментально взаимосвязь между изменением оптических и электрических параметров неоднородных аморфных полупроводниковых материалов, наблюдаемую при варьировании условий их приготовления и легировании. Анализируются достоинства и недостатки модели Скеттрапа, в рамках которой оптические переходы между электронными уровнями материала рассматриваются с учетом флуктуаций чисел заполнения фононных мод в пределах области их пространственной когерентности. Рассматривается более общая (многофононная) модель, учитывающая электрон-фононное взаимодействие со всеми акустическими фононными модами в пределах ячейки, характерные размеры которой могут составлять десятки, сотни или тысячи средних межатомных расстояний. Предполагается, что области пространственной когерентности фононов в материале могут быть отождествлены с ''глобулами'', ''столбами'' и другими видами имеющих устойчивую форму неоднородностей, наблюдаемых в аморфных полупроводниковых материалах методами электронной микроскопии. Предварительный анализ показал, что новый подход на качественном уровне позволяет объяснить взаимосвязь между размерами областей пространственной когерентности и характеристической энергией края поглощения Урбаха.
  1. %
  2. Mott N.F., Davis E.A. Electron processes in noncrystalline materials. Oxford (1979). P. 368
  3. Marshall J.M. Rep. Prog. Phys. 46, 1235 (1983)
  4. Голикова О.А., Домашевская Э.П., Казанин М.М., Кудаярова В.Х., Мездрочина М.М., Сорокина К.Л., Терехов В.А., Тростянский С.Н. ФТП \bf 23, \it 3, 450 (1989)
  5. Голикова О.А. ФТП 25, 9, 1517 (1991)
  6. Ligachov V.A. Proc. 35th Int. Colloquium TH Ilmenau, Ilmenau, DDR (1990). Heft. 4. S. 56
  7. Ligachov V.A., Gordeev V.N., Filikov V.A., Suleman H. Sov. Phys. Semiconduct. \bf 25, \it 9, 927 (1991)
  8. Ligachov V.A., Gordeev V.N., Filikov V.A. Proc. 7th Int. Conf. Thin Films Physics \& Application, Shanghai, China (April 14--17, 1991) SPIE. V. 1519. P. 214
  9. Danchenkov A.A., Ligachev V.A., Popov A.I. Semiconductors \bf 27, \it 8, 683 (1993)
  10. Голикова О.А., Бабаходжаев У.С., Казанин М.М., Мездрогина М.М., Алаускас К., Юшка Г. ФТП \bf 25, \it 3, 551 (1991)
  11. Ligachev V.A., Filikov V.A. Sov. Phys. Semiconduct. \bf 26, \it 9, 865 (1992)
  12. Fuhs W. J. Non-Cryst Sol. 114 (1989)
  13. Skettrup T. Phys. Rev. B18, 5, 2622 (1978)
  14. Lei L. Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon / Ed. J.Jounopolus and J.Lucovsky. Springer--Verlag (1984). Pt 2
  15. Леонтович М.А. Введение в термодинамику. Статистическая физика. М. (1983). 416 с
  16. Animalu A.O.E. Intermediate quantum theory of crystalline solids. Prentice--Hall, Englewood Cliffs. New Jersey (1977)
  17. Климонотович Ю.Л. Статистическая физика. М. (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.