Статистическая динамика фоточувствительных твердотельных структур
Калинин С.В.1, Кашников Б.П.1, Смирнов Г.И.1, Телегин Г.Г.1
1Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук,, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 19 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.
Построена статистическая теория фотоэлектрических переходных процессов в полупроводниковой плазме. Дан анализ статистической динамики фотогенерации носителей заряда в полупроводниках на начальной и нелинейной стадиях этого процесса. Определена зависимость между условиями генерации фототока и флуктуациями характерного времени нарастания концентрации свободных носителей заряда. Отмечено уменьшение указанных флуктуаций по мере развития фотогенерации.
- Кернер В.С., Осипов В.В. ЖЭТФ \bf 79, \it 6, 2218 (1980)
- Неустроев Л.Н., Осипов В.В. Поверхность, \it 8, 12 (1987)
- Климонтович Ю.Л. Статистическая физика. М. (1982). 608 с
- Хакен Г. Синергетика. М. (1985). 419 с
- Климонтович Ю.Л. УФН 164, 8, 811 (1994)
- Капассо Ф., Пирсолл Т., Поллак М. Техника оптической связи: Фотоприемники. М. (1988). 526 с
- Рытов С.М. Введение в статистическую радиофизику. М. (1966). 404 с
- Кадомцев Б.Б. УФН 164, 5, 449 (1994)
- Казанцев А.П., Сурдутович Г.И. ЖЭТФ 56, 245 (1970)
- Желнов Б.Л., Смирнов Г.И. ЖЭТФ 61, 1801 (1971)
- Желнов Б.Л., Смирнов Г.И. Опт. и спектр. \bf 33, 363 (1972)
- Feller W. Ann. Math. 54, 103 (1951)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук