Вышедшие номера
Статистическая динамика фоточувствительных твердотельных структур
Калинин С.В.1, Кашников Б.П.1, Смирнов Г.И.1, Телегин Г.Г.1
1Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук,, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 19 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Построена статистическая теория фотоэлектрических переходных процессов в полупроводниковой плазме. Дан анализ статистической динамики фотогенерации носителей заряда в полупроводниках на начальной и нелинейной стадиях этого процесса. Определена зависимость между условиями генерации фототока и флуктуациями характерного времени нарастания концентрации свободных носителей заряда. Отмечено уменьшение указанных флуктуаций по мере развития фотогенерации.
  1. Кернер В.С., Осипов В.В. ЖЭТФ \bf 79, \it 6, 2218 (1980)
  2. Неустроев Л.Н., Осипов В.В. Поверхность, \it 8, 12 (1987)
  3. Климонтович Ю.Л. Статистическая физика. М. (1982). 608 с
  4. Хакен Г. Синергетика. М. (1985). 419 с
  5. Климонтович Ю.Л. УФН 164, 8, 811 (1994)
  6. Капассо Ф., Пирсолл Т., Поллак М. Техника оптической связи: Фотоприемники. М. (1988). 526 с
  7. Рытов С.М. Введение в статистическую радиофизику. М. (1966). 404 с
  8. Кадомцев Б.Б. УФН 164, 5, 449 (1994)
  9. Казанцев А.П., Сурдутович Г.И. ЖЭТФ 56, 245 (1970)
  10. Желнов Б.Л., Смирнов Г.И. ЖЭТФ 61, 1801 (1971)
  11. Желнов Б.Л., Смирнов Г.И. Опт. и спектр. \bf 33, 363 (1972)
  12. Feller W. Ann. Math. 54, 103 (1951)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.