Вышедшие номера
Локализованные состояния дефектов в облученных ионами диэлектриках
Кабышев А.В.1, Конусов Ф.В.1, Лопатин В.В.1
1НИИ высоких напряжений при Томском политехническом университете,, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 19 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Исследованы локализованные в запрещенной зоне состояния, создаваемые радиационными дефектами при ионно-термической обработке нитрида бора. Определено влияние электронных переходов с их участием на электроперенос и оптические свойства модифицированной поверхности диэлектрика. Исследования изменений оптических спектров в диапазоне энергий 1.5-6.2 eV проведены в рамках традиционных представлений оптики диэлектриков. Существенная роль в поглощении принадлежит делокализованным носителям заряда. Вследствие накопления при облучении и термообработке экспоненциально распределенных по глубине локализованных состояний возможно образование подзоны донорного типа, состояния которой определяют оптические свойства при переходах в зону проводимости. Транспорт носителей заряда осуществляется по прыжковому механизму с переменной длиной прыжка по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям или по состояниям сформировавшейся подзоны.