Рекомбинация носителей на подвижных дефектах в полупроводниках
Белявский В.И.1, Свиридов В.В.1
1Воронежский государственный педагогический университет
Поступила в редакцию: 23 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.
Предлагается феноменологическое описание захвата и рекомбинации носителей на дефектах с глубокими уровнями в полупроводниках. Для дефекта в каждом электронном состоянии записывается уравнение непрерывности, учитывающее диффузию и дрейф дефекта в кристаллическом потенциальном рельефе, а также сток в смежные состояния. На модельном примере показано, что для получения содержательных результатов, таких как температурная зависимость эффективной скорости электронных переходов на дефекте, достаточно весьма общих физических соображений о скорости стока в различных точках потенциального рельефа.
- Kimerling L.C. Solid State Electron. \bf 21, 11/12, 1391 (1978)
- Dzhafarov T.D. Phys. Stat. Sol. (a) 79, 11 (1983)
- Kusters K.H., Alexander H. Physica \bf BC 116, \it 1-3, 594 (1983)
- Belyavsky V.I., Kapustin Yu.A., Sviridov V.V. Defects and Diffusion in Solids. \bf 103-105, 265 (1993)
- Lang D.V. Ann. Rev. Mater. Sci. 12, 377 (1982)
- Шейнкман М.К. Письма в ЖЭТФ 38, 6, 278 (1983)
- Sumi H. Phys. Rev. B 29, 8, 4616 (1984)
- Белявский В.И., Даринский Б.М., Свиридов В.В. ФТТ \bf 27, \it 4, 1088 (1985)
- Стоунхэм А.М. Теория дефектов в твердых телах. М. (1978)
- Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках. М. (1986)
- Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. М. (1985)
- Абакумов В.Н., Меркулов И.А., Перель В.И., Яссиевич И.Н. ЖЭТФ \bf 89, \it 4, 1472 (1985)
- Иоселевич А.С., Рашба Э.И. ЖЭТФ \bf 88, \it 5, 1873 (1985)
- Белоусов А.В., Коварский В.А., Чеботарь В.Н., Пишкова Т.В. Кинетические эффекты в молекулярных и твердотельных системах во внешних полях. Кишинев (1990). С. 102--108
- Абакумов В.Н., Курносова О.В., Пахомов А.А., Яссиевич И.Н. XIII Всесоюз. совещ. по теории полупроводников. Тез. докл. Ереван (1987). С. 4
- Гардинер К.В. Стохастические методы в естественных науках. М. (1986)
- Овчинников А.А., Тимашев С.Ф., Белый А.А. Кинетика диффузионно-контролируемых химических процессов. М. (1986)
- Nardelli G.F., Reatto L. Physica \bf 31, \it 4, 541 (1965)
- Brandt E.H. j. Phys. Cond. Matter. \bf 1, \it 50, 10003 (1989)
- Mann E. Phys. Stat. Sol. (h) \bf 111, \it 2, 541 (1982)
- Shokley W. Phys. Rev. 91, 1, 228 (1953)
- Ossipyan Yu.A. Cryst. Res. Technol. \bf 16, \it 2, 239 (1981)
- Jones R. Phil. Mag. B42, 2, 213 (1980)
- Тележкин В.А. Теория радиационных дефектов в полупроводниках. Киев (1988)
- Маннинг Дж. Кинетика диффузии атомов в кристаллах. М. (1971)
- Якубович В.А., Старжинский В.М. Линейные дифференциальные уравнения с периодическими коэффициентами и их приложения. М. (1972)
- Матвеев Н.М. Методы интегрирования обыкновенных дифференциальных уравнений. М. (1963)
- Henry C.H., Lang D.V. Phys. Rev. \bf B15, \it 2, 989 (1977)
- Festa R., Galleani d'Agliano E. Physica \bf 90A, 229 (1978)
- Gunther L., Revzen M., Ron A. Physica 95A, 367 (1979)
- Свиридов В.В. ФТТ 33, 5, 1569 (1991)
- Schneider T., Politi A., Badii R. Phys. Rev. \bf A. 34, \it 3, 2505 (1986)
- Фаткулин Н.Ф. ЖЭТФ 98, 6, 2030 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук