Релаксация солитонной решетки и эффект памяти в несоразмерной фазе кристалла Rb 2ZnCl 4
Гладкий В.В.1, Кириков В.А.1, Иванова И.С.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 2 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.
Показано, что выдержка кристалла во времени (отжиг) при постоянной температуре в области неоднородной фазы приводит к резкому возрастанию времени релаксации, т.е. к формированию долгоживущих метастабильных состояний, ответственных за эффект памяти. Исследования проведены диэлектрическим методом на кристаллах Rb2ZnCl4.
- Unruh H.-G. J. Phys. C: Solid State Phys. 16, 3245 (1983)
- Jamet J.P. Phase Trans. 11, 335 (1988)
- Cummins H.Z. Phys. Rep. 185, 5, 6, 214 (1990)
- Багаутдинов Б.Ш., Шмытько И.М. Письма в ЖЭТФ \bf 59, \it 3, 171 (1994)
- Hamano K., Hishinuma T., Ema K. J. Phys. Soc. Jap. \bf 50, \it 8, 2666 (1981)
- Коломейский Е.Б. ЖЭТФ 99, 2, 562 (1991)
- Гладкий В.В., Кириков В.А., Желудев И.С., Гаврилова И.В. ФТТ \bf 29, \it 6, 1690 (1987)
- Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С. Письма в ЖЭТФ \bf 58, \it 8, 625 (1993)
- Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С. Письма в ЖЭТФ \bf 60, \it 2, 109 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
