Вышедшие номера
Релаксация солитонной решетки и эффект памяти в несоразмерной фазе кристалла Rb 2ZnCl 4
Гладкий В.В.1, Кириков В.А.1, Иванова И.С.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 2 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.

Показано, что выдержка кристалла во времени (отжиг) при постоянной температуре в области неоднородной фазы приводит к резкому возрастанию времени релаксации, т.е. к формированию долгоживущих метастабильных состояний, ответственных за эффект памяти. Исследования проведены диэлектрическим методом на кристаллах Rb2ZnCl4.
  1. Unruh H.-G. J. Phys. C: Solid State Phys. 16, 3245 (1983)
  2. Jamet J.P. Phase Trans. 11, 335 (1988)
  3. Cummins H.Z. Phys. Rep. 185, 5, 6, 214 (1990)
  4. Багаутдинов Б.Ш., Шмытько И.М. Письма в ЖЭТФ \bf 59, \it 3, 171 (1994)
  5. Hamano K., Hishinuma T., Ema K. J. Phys. Soc. Jap. \bf 50, \it 8, 2666 (1981)
  6. Коломейский Е.Б. ЖЭТФ 99, 2, 562 (1991)
  7. Гладкий В.В., Кириков В.А., Желудев И.С., Гаврилова И.В. ФТТ \bf 29, \it 6, 1690 (1987)
  8. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С. Письма в ЖЭТФ \bf 58, \it 8, 625 (1993)
  9. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С. Письма в ЖЭТФ \bf 60, \it 2, 109 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.