Методами просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии (ПЭМ и ВРЭМ) исследуются процессы устранения дислокационных петель, предварительно введенных бомбардировкой ионами Ar⁺ с энергиями 3-5 keV в CdTe и ZnTe, при последующем облучении электронами с подпороговыми энергиями. Обнаружено, что облучение электронами сопровождается сокращением дислокационных петель в ионно-бомбардированных образцах, в то время как обычный термоотжиг приводит к их росту (коагуляции). Процесс ускоряется с повышением температуры облучения in situ в ПЭМ выше 200^o C, хотя этот феномен наблюдается и при низкой температуре (173 K). Установлено, что плоскостями залегания петель могут быть 110 и 111 с возможными векторами Бюргерса a/2<110> и a/6<112> в CdTe и a/2<110> и a/3<111> в ZnTe. Процессы, инициированные электронным облучением, протекают быстрее в CdTe, чем в ZnTe, что объясняется различием в энергиях дефекта упаковки. Результаты интерпретируются на основе ионизационного подпорогового механизма дефектообразования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.