Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Восстановление структурного совершенства CdTe и ZnTe, бомбардированных ионами низких энергий, в результате подпорогового электронного облучения

Логинов Ю.Ю.¹, Лу Г.¹

¹Красноярский государственный университет

Поступила в редакцию: 26 октября 1994 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии (ПЭМ и ВРЭМ) исследуются процессы устранения дислокационных петель, предварительно введенных бомбардировкой ионами Ar⁺ с энергиями 3-5 keV в CdTe и ZnTe, при последующем облучении электронами с подпороговыми энергиями. Обнаружено, что облучение электронами сопровождается сокращением дислокационных петель в ионно-бомбардированных образцах, в то время как обычный термоотжиг приводит к их росту (коагуляции). Процесс ускоряется с повышением температуры облучения in situ в ПЭМ выше 200^o C, хотя этот феномен наблюдается и при низкой температуре (173 K). Установлено, что плоскостями залегания петель могут быть 110 и 111 с возможными векторами Бюргерса a/2<110> и a/6<112> в CdTe и a/2<110> и a/3<111> в ZnTe. Процессы, инициированные электронным облучением, протекают быстрее в CdTe, чем в ZnTe, что объясняется различием в энергиях дефекта упаковки. Результаты интерпретируются на основе ионизационного подпорогового механизма дефектообразования.

Wald F.V. Rev. Phys. Appl. 12, 2, 277 (1977)
Morris G.G., Das S.K., Tanner P.G. J. Cryst. Growth. \bf117, 929 (1992)
Seto S., Tanaka A., Masa Y., Kawashima M. J. Cryst. Growth. \bf117, 271 (1992)
Иванов Ю.М., Павлова Г.С., Канунова Е.Л. Изв. АН СССР. Неорган. материалы \bf24, \it12, 1956 (1988)
Kowalczyk L. J. Cryst. Growth. \bf72, \it1--2, 389 (1985)
Brown P.D., Loginov Y.Y., Mullins J.T., Durose K., Brinkman A.W., Humphreys C.J. J. Cryst. Growth. \bf138, 538--544 (1994)
Chew N.G., Cullis A.G. Ultramicroscopy 23, 175 (1987)
Lu G. Phil. Mag. Lett. 68, 1, 1 (1993)
Yoshiie T., Iwanaga H., Shibata N., Suzuki K., Ichihara M., Takeuchi S. Phil. Mag. A. \bf47, \it3, 315 (1983)
Loginov Y.Y., Brown P.D., Thompson N. Phys. Stat. Sol. (a) \bf126, 63 (1991)
Loginov Yu.Yu., Brown P.D. Phys. Stat. Sol. (a) \bf132, 323 (1992)
Hastings M.P., Maxey C.D., Matthews B.E., Metcalfe N.E., Capper P., Jones C.L., Gable I.G. J. Cryst. Growth. \bf138, 917 (1994)
Rolland S., Granger R., Triboulet J. Cryst. Growth. \bf117, 208 (1992)
Barlot J.F. Appl. Phys. Lett. 57, 2689 (1990)
Russel G.J., Woods J. J. Cryst. Growth. \bf47, 647 (1979)
Lu G., Niu F., Wang R. Rad. Eff. and Defects in Solids \bf116, 81 (1991)
Ryssel H., Lang G., Biersack J.P., Muller K., Kruger W. IEEE Trans. Electr. Devices. \bf27, \it1, 58 (1980)
Бабенцов В.Н., Бекетов Г.В., Горбань С.И. ФТП \bf27, \it3, 504 (1993)
Shastov K.V. Phys. Stat. Sol. (a) 130, 293 (1992)
Leo G., Drigo A.V., Traverse A. Mater. Sci. Eng. \bf B16, 123 (1993)
Loginov Y.Y., Lenchenko V.M., Brown P.D., Woods J. Phys. Stat. Sol. (a) \bf118, 117 (1990)
Sanders I.R., Dobson P.S. J. Mater. Sci. \bf9, \it12, 1987 (1974)
Lunn M.A., Dobson P.S. J. Cryst. Growth. \bf73, 379 (1985)
Zanio K. Semiconductors and Semimetals. N.Y. (1978), V. 13
Kroger F.A. Rev. Phys. Appl. 12, 2, 205 (1977)
Spence J.C.H. Experimental high-resolution electron microscopy. Oxford (1981)
Qin L.C., Li D.X., Kuo K.H. Phil. Mag. A. \bf53, \it4, 543 (1986)
Lu G. Rad. Eff. and Defects in Solids \bf124, 301 (1992)
Loginov Y.Y., Brown P.D., Thompson N., Durose K. J. Cryst. Growth. \bf117, 682 (1992)
Корбетт Дж., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в твердых телах. М. (1979), С. 9--152
Bryant F.J., Baker A.T. J. Radiat. Damage and Defects in Semiconductors. Bristol, London: Inst Phys. Conf (1973), Ser. 16, P. 42
Карпов В.Г., Клингер М.И. ФТП, \bf21, \it10, 1887 (1987)
Loginov Y.Y., Brown P.D., Thompson N.A. Phys. Stat. Sol. (a) \bf127, 75 (1991)
Takeuchi S., Suzuki K., Maeda K., Iwanaga H. Phil. Mag. A. \bf50, \it2, 171 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель