Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Двуосная оптическая анизотропия сверхрешеток GaAs/AlAs(hhl)

Белоусов М.В.¹, Ивченко Е.Л.¹, Несвижский А.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 26 сентября 1994 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Построена теория диэлектрической проницаемости в экситонной области спектра для периодической гетероструктуры типа GaAs/AlAs, выращенной в направлении с высокими индексами Миллера. Проанализирована зависимость анизотропии силы осциллятора экситонов в плоскости, перпендикулярной оси роста, от кристаллографической ориентации этой оси, от толщины слоев структуры и от зонных параметров композиционных материалов. С помощью теории возмущений выведены простые аналитические выражения, которые с хорошей точностью описывают оптическую анизотропию сверхрешеток GaAs/AlAs(hhl) с произвольными h и l. Для экситонов e1-HH1(1s) и e1-LH1(1s) разность сил осциллятора в поляризациях E||[ 110] и E||[ll(2 h)] имеет противоположные знаки. Модуль этой разности достигает наибольшего значения для структуры с GaAs/AlAs(110), имеет локальный максимум при l=2h и обращается в нуль для структур с осями роста [001] или [111].

Gershoni D., Weiner J.S., Chu S.N.G., Baraff G.A., Vandenberg J.M., Preiffer L.N., West K., Logan R.A. Tanbun-Ek T. Phys. Rev. Lett. \bf 65, \it 13, 1631 (1990)
Gershoni D., Brener I., Baraff G.A., Chu S.N.G., Preiffer L.N., West K. Phys. Rev. \bf B44, \it 4, 1930 (1991)
Kajikawa Y., Hata M., Isu T., Katayama Y. Surf. Sci. \it 267, 501 (1992)
Nojima S. Phys. Rev. B47, 20, 13535 (1993)
Notzel R., Ledentsov N.N., Daweritz L., Hobenstein M., Ploog K. Phys. Rev. Lett. \bf 67, \it 27, 3812 (1991)
Notzel R., Ledentsov N.N., Ploog K. Phys. Rev. \bf B47, \it 3, 1299 (1993)
Белоусов М.В., Берковец В.Л., Гусев А.О., Ивченко Е.Л., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Несвижский А.И. ФТТ \bf 36, \it 4, 1098 (1994)
Ивченко Е.Л. ФТТ 33, 8, 2388 (1991)
Ивченко Е.Л., Несвижский А.И., Йорда С. ФТТ \bf 36, \it 7, 2118 (1994)
Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М. (1972), 584 с
Skolnick M.S., Jain A.K., Stradling R.A., Leotin J., Ousset J.C., Askenazy S. J. Phys. C. \bf 9, \it 14, 2809 (1976)
Armelles G., Gonzalez L., Velasco V.R. 22nd Int. Conf. Phys. Semicond. Vancouver, Canada (1994). Abstracts. P. TuP-091

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель