Вышедшие номера
Диэлектрическая проницаемость и проводимость пленок триглицинсульфата на подложках Al/SiO2 и alpha-Al2O3
Балашова Е.В.1, Кричевцов Б.Б.1, Леманов В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: balashova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Пленки триглицинсульфата (TGS) получены методом испарения из водного раствора на подложках из плавленого кварца, покрытых слоем термически напыленного алюминия (Al/SiO2), и подложках лейкосапфира (alpha-Al2O3), на поверхность которых методом фотолитографии были нанесены электроды в виде встречно-штыревой структуры. Пленки TGS имеют поликристаллическую структуру, состоящую из блоков с размерами 0.1-0.3 mm (Al/SiO2) и 0.1x1 mm (alpha-Al2O3). Полярная ось в блоках ориентирована в основном в плоскости подложки. Температурные зависимости емкости и диэлектрических потерь в направлении, перпендикулярном плоскости пленки, и в плоскости пленки имеют максимумы при температуре, совпадающей с температурой Tc сегнетоэлектрического фазового перехода в объемном кристалле. Низкочастотная проводимость G в структурах TGS/Al/SiO2 обладает частотной дисперсией, которая описывается зависимостью G~omegas (s~0.82). Возможным механизмом проводимости является прыжковая проводимость, обусловленная локализованными носителями с энергией основного состояния 0.8-0.9 eV. В пленках TGS/alpha-Al2O3 при температурах выше и ниже Tc низкочастотная проводимость обусловлена термоактивационным механизмом с энергией активации 0.9-1 eV. В области фазового перехода в структурах TGS/alpha-Al2O3 появляется дополнительный вклад в проводимость, характеризующийся частотной дисперсией G~omega0.5, который можно связать с релаксацией доменных стенок. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проекты N 07-02-01286 и 08-02-00112).