Издателям
Вышедшие номера
Диэлектрическая проницаемость и проводимость пленок триглицинсульфата на подложках Al/SiO2 и alpha-Al2O3
Балашова Е.В.1, Кричевцов Б.Б.1, Леманов В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: balashova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Пленки триглицинсульфата (TGS) получены методом испарения из водного раствора на подложках из плавленого кварца, покрытых слоем термически напыленного алюминия (Al/SiO2), и подложках лейкосапфира (alpha-Al2O3), на поверхность которых методом фотолитографии были нанесены электроды в виде встречно-штыревой структуры. Пленки TGS имеют поликристаллическую структуру, состоящую из блоков с размерами 0.1-0.3 mm (Al/SiO2) и 0.1x1 mm (alpha-Al2O3). Полярная ось в блоках ориентирована в основном в плоскости подложки. Температурные зависимости емкости и диэлектрических потерь в направлении, перпендикулярном плоскости пленки, и в плоскости пленки имеют максимумы при температуре, совпадающей с температурой Tc сегнетоэлектрического фазового перехода в объемном кристалле. Низкочастотная проводимость G в структурах TGS/Al/SiO2 обладает частотной дисперсией, которая описывается зависимостью G~omegas (s~0.82). Возможным механизмом проводимости является прыжковая проводимость, обусловленная локализованными носителями с энергией основного состояния 0.8-0.9 eV. В пленках TGS/alpha-Al2O3 при температурах выше и ниже Tc низкочастотная проводимость обусловлена термоактивационным механизмом с энергией активации 0.9-1 eV. В области фазового перехода в структурах TGS/alpha-Al2O3 появляется дополнительный вклад в проводимость, характеризующийся частотной дисперсией G~omega0.5, который можно связать с релаксацией доменных стенок. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проекты N 07-02-01286 и 08-02-00112).
  • M. Dawber, K.M. Rabe, J.F. Scott. Rev. Mod. Phys. 77, 1083 (2005)
  • S. Ducharme, S.P. Palto, V.M. Fridkin. In: Ferroelectric and Dielectric thin films / Ed. H.S. Nalwa. Academic, San Diego (2002). 545 p
  • B.T. Matthias, C.E. Miller, J.P. Remeika. Phys. Rev. 104, 849 (1956)
  • R.B. Lal, A.K. Batra. Ferroelectrics 142, 51 (1993)
  • N. Neumann. Ferroelectrics 142, 83 (1993)
  • Cz. Pawlaczyk. Ferroelectrics 140, 127 (1993)
  • А.В. Шильников, Л.А. Шувалов, В.А. Федорихин, А.П. Поздняков, А.В. Сопит. ФТТ 41, 1073 (1999)
  • Л.Г. Брадулина, А.М. Лотонов, Н.Д. Гаврилова. Неорган. материалы 37, 607 (2001)
  • А.В. Шильников, В.А. Федорихин, Б.А. Струков, Н.В. Ратина. Кристаллография 49, 508 (2004)
  • А.М. Лотонов, В.К. Новик, Н.Д. Гаврилова. ФТТ 48, 969 (2006)
  • В.К. Ярмаркин, С.Г. Шульман, Г.А. Панкова, Н.В. Зайцева, В.В. Леманов. ФТТ 50, 897 (2008)
  • В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова. ФТТ 39, 353 (1997)
  • А.М. Лотонов, В.К. Новик, Н.Д. Гаврилова. ФТТ 49, 1268 (2007)
  • О.М. Голицина, Л.Н. Камышева, С.Н. Дрождин. ФТТ 40, 116 (1998)
  • P. Wurfel, I.P. Batra, J.T. Jacobs. Phys. Rev. Lett. 30, 1218 (1973)
  • P. Wurfel, I.P. Batra. Phys. Rev. B 8, 5126 (1973)
  • З.Д. Стеханова, О.Б. Яценко, С.Д. Миловидова, А.С. Сидоркин, О.В. Рогазинская. ЖПХ 78, 45 (2005)
  • G.S. Kino, R.S. Wagers. J. Appl. Phys. 44, 1480 (1973)
  • E.V. Balashova, B.B. Krichevtsov, V.V. Lemanov. J. Appl. Phys. 104, 126 104 (2008)
  • Е.В. Балашова, Б.Б. Кричевцов, В.В. Леманов. ФТТ 51, 525 (2009)
  • G.E. Pike. Phys. Rev. B 6, 1572 (1972)
  • S.L. Hutton, I. Fehst, R. Bohmer, M. Braune, B. Mertz, P. Lunkenheimer, A. Loidl. Phys. Rev. Lett. 66, 1990 (1991)
  • И.А. Малышкина. Неорган. материалы 38, 380 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.