Пленки триглицинсульфата (TGS) получены методом испарения из водного раствора на подложках из плавленого кварца, покрытых слоем термически напыленного алюминия (Al/SiO₂), и подложках лейкосапфира (alpha-Al₂O₃), на поверхность которых методом фотолитографии были нанесены электроды в виде встречно-штыревой структуры. Пленки TGS имеют поликристаллическую структуру, состоящую из блоков с размерами 0.1-0.3 mm (Al/SiO₂) и 0.1x1 mm (alpha-Al₂O₃). Полярная ось в блоках ориентирована в основном в плоскости подложки. Температурные зависимости емкости и диэлектрических потерь в направлении, перпендикулярном плоскости пленки, и в плоскости пленки имеют максимумы при температуре, совпадающей с температурой T_c сегнетоэлектрического фазового перехода в объемном кристалле. Низкочастотная проводимость G в структурах TGS/Al/SiO₂ обладает частотной дисперсией, которая описывается зависимостью G~omega^s (s~0.82). Возможным механизмом проводимости является прыжковая проводимость, обусловленная локализованными носителями с энергией основного состояния 0.8-0.9 eV. В пленках TGS/alpha-Al₂O₃ при температурах выше и ниже T_c низкочастотная проводимость обусловлена термоактивационным механизмом с энергией активации 0.9-1 eV. В области фазового перехода в структурах TGS/alpha-Al₂O₃ появляется дополнительный вклад в проводимость, характеризующийся частотной дисперсией G~omega^0.5, который можно связать с релаксацией доменных стенок. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проекты N 07-02-01286 и 08-02-00112).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.