Представлены данные по сравнительному изучению характеристик люминесценции автолокализованных экситонов (АЛЭ), создаваемых в кристаллах KI при температуре 80 K в различных режимах импульсного возбуждения: под действием электронных пучков и при оптической стимуляции лазерными импульсами реакций рекомбинации электронов проводимости с заранее созданными V_k-центрами окраски. Обнаружено явление селективного создания аномально короткоживущих центров, ответственных за полосу pi₁-люминесценции, возникающее при высоких уровнях мощности лазерного воздействия (Phi > 0.1 MW· cm^-2). Обсуждается модель процессов, в которой двум полосам синхронно затухающей люминесценции с tau = 1.6 mus соответствуют две структурные морфологии триплетных АЛЭ. Предполагается, что pi₁-полоса люминесценции при 3.05 eV в KI обусловлена экситонами с конфигурацией в виде ''тесных'' (F,H)-пар.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.