Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Идентификация фазовых переходов в сверхпроводниках и сегнетоэлектриках методом вторично-электронной эмиссиометрии

Томашпольский Ю.Я.¹, Садовская Н.В.¹

¹Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Москва

Поступила в редакцию: 23 сентября 1994 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

PDF версия

Модель вторично-электронной эмиссии была модифицирована для фазовых переходов в сегнетоэлектриках и сверхпроводниках. Основной особенностью модели является предсказание минимума выхода эмиссии вблизи фазового перехода первого рода или близкого к нему перехода второго рода вследствие взаимодействия между вторичными электронами и флуктуациями (ядрами) новой фазы. Эксперименты, проведенные в модифицированном растровом электронном микроскопе при 75-215, 300-420 K для сегнетоэлектрического BaTiO₃ и при 20-300 K для сверхпроводящей керамики Bi₂ Sr₂ CaCu₂ O₈, а также при комнатной температуре для сегнетоэлектрических твердых растворов Pb₅( Ge_x Si_1-x)₃ O₁₁, показали хорошее согласие с модельными представлениями.

Tomashpolsky Yu.Ya., Sevostianov M.A., Sadovskaya N.V., Kolganova N.V. J. Microsc. Spectrosc. Electron. \bf 14, 213 (1989)
Томашпольский Ю.Я., Севостьянов М.А., Садовская Н.В., Колганова Н.В., Ширина Н.Г. ФТТ \bf 31, \it 11, 26, (1989)
Tomashpolsky Yu.Ya. Ferroelectrics 144, 231 (1993)
Tomashpolsky Yu.Ya. Ferroelectrics. In press (1994)
Ковалев В.П. Вторичные электроны. М. (1987), 177 c
Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. М. (1964), 300 c
Anliker M., Brugger H.R., Kanzig W. Helv. Phys. Acta \bf 27, 99 (1954)
Butera R.A. Phys. Rev. В 37, 5909 (1988)
Смит Р.А. Полупроводники. М. (1982), 558 с
Садовская Н.В. НИФХИ им. Л.Я. Карпова М. (1991), 169 с
Томашпольский Ю.Я., Садовская Н.В., Севостьянов М.А., Прутченко С.Г., Нехорошев Н.С., Кочетов А.К. Завод. лаб., \it 1 (1995)
Иона Ф., Ширане Д. Сенгнетоэлектрические кристаллы. М. (1965), 555 с
Сальников В.Д., Пентегова М.В., Томашпольский Ю.Я., Веневцев Ю.Н. Неорган. материалы \bf 11, \it 10, 1897 (1975)
Ehrat R., Rinderer L. J. Low Temp. Phys. \bf 7, \it 15, 1169 (1972)
Коханчик Л.С., Никулов А.В., Розенфланц В.Ж. Изв. АН СССР. Сер. физ. \bf 55, \it 8, 1543 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель