Поступила в редакцию: 25 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Исследовано поперечное магнитосопротивление (МС) полупроводниковых материалов HgCdSe, ZnS, ZnSe и GaP при высоком давлении P, вызывающем переходы в новые структурные модификации. У кристаллов HgSe в области фазового перехода из кубической в гексагональную модификацию МС увеличивается пропорционально квадрату магнитного поля B. Высокая подвижность электронов проводимости в этом состоянии обусловлена включениями исходной полуметаллической фазы. Эти включения ответственны также за металлический ход температурной зависимости сопротивления. Аналогичные данные МС получены для кристаллов HgCdSe, в которых часть атомов ртути (от 0.01 до 0.07) замещена кадмием. Металлические фазы высокого давления ZnSe, ZnS и GaP при T=290 и 77 K имеют значительно более слабый эффект MC<0.
- Зеегер К. Физика полупроводников. М. (1977), 615 с
- Katalas J.A., Gatos H.G., Lavine M.C., Banus M.D. J. Phys. Chem. Sol. \bf 23, \it 11, 1541 (1962)
- Lombos B.A., Mahdaly H.M., Pant B.C. High pressure science and tehnology: Sixth AIRAPT conference. N.Y. -London (1979), V. 1, P. 227
- Monomura S., Samara G.A., Drickamer H.G. J. Appl. Phys. \bf 33, \it 11, 3196 (1962)
- Bundy F.P. Rev. Sci. Instr. \bf 46, \it 10, 1318 (1975)
- Piermarini G.J., Block S. Rev. Sci. Instr. \bf 46, \it 8, 973 (1975)
- Щенников В.В. Расплавы 2, 2, 33 (1988)
- Щенников В.В., Гавалешко Н.П., Глузман Н.Г., Паранчич Л.Д. ФТТ \bf 22, \it 9, 2868 (1980)
- Глузман Н.Г., Щенников В.В. ФТТ \bf 21, \it 10, 3192 (1979)
- Щенников В.В. ФТТ 35, 3, 783 (1993)
- Цидильковский И.М., Щенников В.В., Глузман Н.Г. ФТТ \bf 27, \it 2, 439 (1985)
- Альтшуллер В.А., Аронов А.Г., Ларкин А.И., Хмельницкий Д.Е. ЖЭТФ \bf 81, \it 2 (\it 8), 768 (1981)
- Обухов С.А. Препринт ФТИ АН СССР (1991), N 1459, С. 1--21
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.