Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние электрических полей на процесс термализации носителей заряда в кристалле фенантрена
Скрышевский Ю.А.1, Кадащук А.К.1, Остапенко Н.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 4 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Обнаружены сильные изменения интенсивности термолюминесценции кристалла фенантрена после термообработки (T tre<= 330 K) в окрестности температуры его фазового перехода. Исследования зависимости запасенной светосуммы от температуры термообработки кристалла, времени и температуры последующего отжига, а также энергии активации релаксации, возросшей после термообработки светосуммы позволили связать наблюдаемые эффекты с возникновением в образце электрического поля пироэлектрической природы. Установлено, что при очень низких температурах возбуждения термолюминесценции электрическое поле влияет на процесс термализации горячих носителей заряда, возникающих в кристалле в результате фотогенерации. Предложен механизм влияния электрического поля на величину запасенной образцом светосуммы, а также получена зависимость радиуса термализации горячих носителей от напряженности электрического поля.
- Поуп М., Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах. М. (1985), Т. 2, 464 с
- Силиньш Э.А., Курик М.В., Чапек В. Электронные процессы в органических молекулярных кристаллах: Явления локализации и поляризации. Рига (1988), 329 с
- Pai D.M., Enck R.C. Phys. Rev. \bf B11, \it 12, 1172 (1975)
- Chance R.R., Braun C.L. J. Chem. Phys. \bf 64, \it 9, 3573 (1976)
- Melz P. J. Chem. Phys. 57, 4, 1694 (1972)
- Silinsh E.A., Kolesnikov V.A., Muzikante I.J. Balode D.R. Phys. Stat. Sol. (b) \bf 113, 379 (1982)
- Silinsh E.A., Jurgis A.J. Chem. Phys. \bf 94, \it 1-2, 77. (1985)
- Silinsh E.A., Jurgis A.J., Shlinta G.A. J. Mol. Electronics. \bf 3, 123 (1987)
- Warta W., Karl N. Phys. Rev. \bf B32, \it 2, 1172 (1985)
- Karl N. Mol. Cryst. Liq. Cryst. 171, 157 (1989)
- Bitterling K., Willing F. Phys. Rev. \bf B35, 7973 (1987)
- Goworek T., Gorniak W., Wasiewicz R., Wawryszcuk J., Rybka C. Chem. Phys. Lett. \bf 120, \it 2, 223--226 (1985)
- Gorniak W., Goworek T., Rybka C. Chem. Phys. Lett. \bf 187, \it 5, 537 (1991)
- Kroupa J., Fousek J., Ivanov N.R., Brezina B., Pavel M., Fouskova A., Lhotska V., Petricek V., Cisarova I. Solid State Commun. \bf 66, \it 10, 1003 (1988)
- Kalinowski J., Dreger Z. Phys. Rev. \bf B36, \it 15, 7840 (1987)
- Rosenblum B., Braunlich P., Carrico J.P. Appl. Phys. Lett. \bf 25, \it 1, 17 (1974)
- Dreger Z., Kalinowski J. Mat. Sci. \bf 13, \it 1-2, 51 (1987)
- Kalinowski J., Dreger Z. J. Lumin \bf 42, \it 3, 155 (1988)
- Dreger Z., Kalinowski J., Davoli I., Stizza S., Feliziani S. Phys. Stat. Sol. (b) \bf 149, \it 1, 363 (1988)
- Скрышевский Ю.А., Кадащук А.К., Остапенко Н.И., Подгорный Ю.С., Сугаков В.И. ФТТ \bf 33, \it 9, 2561 (1991)
- Кадащук А.К., Остапенко Н.И., Скрышевский Ю.А., Шпак М.Т., Силиньш Э.А., Шлихта Г.А. ФТТ \bf 32, \it 5, 1312 (1990)
- Glowaski I., Ulanski J., Jaszka J.K., Kryszewski M. Mat. Sci. \bf 13, \it 1-2, 83 (1987)
- Yokoyama M., Endo Y., Matsubara A., Mikawa H. J. Chem. Phys. \bf 75, \it 6, 3006 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
