Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1995, выпуск 3 » Статья стр. 660
<<<>>>
Поляризованная люминесценция CdMnTe во внешнем магнитном поле
Кудинов А.В.1, Кусраев Ю.Г.1, Якимович В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
PDF версия
Изучена индуцированная магнитным полем поляризация фотолюминесценции в полумагнитных полупроводниках Cd1-xMnxTe с различным содержанием марганца. Показано, что при T=2 K в образцах с малым x (=<0.2) поляризация люминесценции определяется тепловым разбросом магнитных моментов поляронов по направлению, а в случае x<=0.2 доминирующую роль играет локальная анизотропия спинового стекла. Проведен теоретический расчет зависимости степени поляризации от магнитного поля в обоих случаях, причем магнитная анизотропия феноменологически описывалась введением локальных замороженных полей. Сравнение экспериментальных зависимостей с результатами расчета позволило определить величины магнитных моментов поляронов в парамагнитных образцах и локальных обменных полей в спиновых стеклах. Температурная зависимость поляризации, в которой проявляется фазовый переход спиновое стекло-парамагнетик, подтверждает интерпретацию эксперимента.
  1. Diluted Magnetic Semiconductors / Ed. J. Furdyna, J.Kossut Semiconductors and Semimetals / Ed. R.K.Willardson, A.C.Beer. N.Y.: Acad. Press, 1988. V. 25. 470 p
  2. Oseroff S.B. Phys. Rev. B. 1982. V. 25. N 11. P. 6484--6494
  3. Kierzek-Pecold E., Szymanska W., Galazka R.R. Solid State Commun. 1984. V. 50. P. 685
  4. Warnock J., Kershaw R.N., Ridgely D., Dwight K., Wold A., Galazka R.R. J. Lumin. 1985. V. 34. P. 25--35
  5. Kusrayev Yu.G., Zakharchenya B.P. Proc. 20th Int. Conf. Phys. Semicond., Thessaloniki. Greece, 1990. V. 1. P. 738--741
  6. Bugayski M., Becla P., Wolff P.A., Heiman D., Ram-Mohan L.R. Phys. Rev. B. 1988. V. 38. N 15. P. 10512--10516
  7. Heiman D., Becla P., Kershaw R.N., Ridgely D., Dwight K., Wold A., Galazka R.R. Phys. Rev. B. 1986. V. 34. N 16. P. 3961--3969
  8. Jasperson S.N., Shnatterly S.E. Rev. Sci. Inst. 1969. V. 40. P. 761--767
  9. Mockh G., Ossaw W., Yakovlew D.R., Waag A., Hommel D., Landwehr G. Proc. 21th Int. Conf. Phys. Semicond., Beijing. China, 1992
  10. Ram-Mohan L.R., Wolff P.A. Phys. Rev. B. 1988. V. 38. N 2. P. 1330--1339
  11. Кусраев Ю.Г., Кудинов А.В. ФТТ. 1994. Т. 36. N 7. С. 2088--2098

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme