Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Концепция самокомпенсации в проблеме d-примесей в полупроводниках

Юнусов М.С.¹, Оксенгендлер Б.Л.¹, Ахмадалиев А.¹, Джуманов С.¹

¹Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан Institute of Nuclear Physics, Uzbek Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 28 февраля 1994 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложена новая модель поведения d-примесей в кремнии. Показано, что на основе идеи самокомпенсации удается дать трактовку парадоксальным экспериментам как по электронной структуре, так и по физико-химическим свойствам этих примесей в Si.

Deep centers in Semiconductors / Ed. S. Pantelides. N.Y.: Acad. Press., 1986. P. 1--86
Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями / Под ред. В.И. Фистуля М., 1987. 232 с
Юнусов М.С. Физические явления в кремнии, легированном элементами платиновой группы. Ташкент: Фан, 1983. 78 с
Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. 562 с
Юнусов М.С. и др. Элементарные атомные процессы и электронная структура дефектов в полупроводниках. Ташкент: Фан, 1986. 176 с
Людвиг Дж., Вудбери Г. Электронный спиновый резонанс в полупроводниках. М.: Мир, 1964. 148 с
Фистуль В.И. Амфотерные примеси в полупроводниках. М.: Металлургия, 1992. 240 с
Zinger A., Lindefelt U. Physica B. 1983. V. 117--118. P. 185--187
Бацанов С.С., Звягина Р.А. Интегралы перекрывания и проблема эффективных зарядов. Новосибирск: Наука, 1966. 386 с
Левин А.А. Введение в квантовую химию твердого тела. М.: Химия, 1974. 237 с
Kimerling L. et al. Defects and Radiation Eff. in Semicond: Inst. Phys. Conf. Ser. 1980. N 59. Ch. 4. P. 217--222
Каллуэй Дж. Теория энергетической зонной структуры твердого тела. М.: Мир, 1969. 360 с
Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наук. думка, 1969. 187 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель