С помощью оже-спектроскопии в области температур от 300 до 2000 K изучены начальные стадии формирования пленки кремния на поверхности теллурированных ниобиевых лент. Обнаружено, что при напылении Si на Nb при 900<T<1100 K образуется силицид NbSi₂, рост которого при этих температурах происходит послойно вглубь образца. При больших температурах 1100<T<1200 K в приповерхностной области вначале образуется силицид Nb₅Si₃, а при T>1200 K Nb₄Si, которые затем переходят в силицид NbSi₂. Образование силицида Nb₄Si происходит при 1200<T<1400 K в результате структурного фазового перехода при напылении на поверхность Si в количестве 18.5· 10¹⁴ at./cm², а при T>1400 K его рост происходит послойно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.