Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1995, выпуск 1 » Статья стр. 79
<<<>>>
Транспорт заряженных носителей и эмпирическое правило Мейера--Нелделя в неупорядоченных материалах
Гудаев О.А.1, Малиновский В.К.1
1Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 18 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.
PDF версия
Обнаружено, что проводимость ряда неупорядоченных материалов в широком температурном диапазоне описывается обратным законом Аррениуса. Показано, что такое поведение проводимости можно объяснить в рамках модели, учитывающей экспоненциально сильные пространственные флуктуации подвижности носителей заряда. Известное эмпирическое правило Мейера-Нелделя (М-Н) для проводимости неупорядоченных сред является следствием неактивационного характера температурной зависимости проводимости.
  1. Amorhous silicon and related materials. / Ed. H. Fritzche. World Scientific, 1989. (Пер.: Аморфный кремний и родственные материалы / Под редакцией К.Фрицше. М.: Мир, 1991. С. 543); Yelon A., Movaghar B.I., Branz H.M. Phys. Rev. B. 1992. V. 46. N 19. P. 12244; Popescu C., Stoica T. Phys. Rev. B. 1992.V. 46. N 23. P. 15063
  2. Gudaev O.A., Malinovsky V.K., Paul E.E., Treshikhin V.A. Solid State Commun. 1990. V. 74. N 10. P. 1169
  3. Голикова О.А., Саматов С. Бор и его полупроводниковые соединения. Ташкент: ФАН, 1988. 40 с
  4. Голикова О.А., Амаджанов Н., Таджиев А.А. Изв. АН Узб. ССР, Сер. физ.-мат. наук. 1989. N 2
  5. Насибов И.О., Султанов Г.И., Мургузов М.И., Шафагатова Г.Г. Изв. АН СССР, Неорг. материалы. 1989. Т. 26. N 4
  6. Pramanik P., Biswas S., Basu P.K., Mondal A. J. Mater. Sci. Lett. 1990. V. 9. N 10. P. 1120
  7. Соколенко Г.А., Ботов Ф.А., Буйнов Л.Л. и др. ФТП. 1990. Т. 24. N 1. С. 175
  8. Kothari D., Phanjoubam S., Baijal J.S. J. Mater. Sci. 1990. V. 25. N 12, C. 5142
  9. Mott N.F., Davis E.A. Electron processes in non-crystalline materials. Oxford: Clarendon Press, 1979. V. 1, 2 (Пер.: Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1983. Т. 1, 2)
  10. Bakirov M.Ya., Nagafov B.A., Mamedov V.S., Modatov B.S. Phys. Stat. Sol. (a). 1989. V. 114. P. K.45
  11. Миколайчук А.Г., Яцишин С.П., Байцар А.С., Яцишин Б.П. ДАН УССР А. 1989. N 11
  12. Mihai I.C., Muller H.P. Тр. VI Междунар. конф. по аморфным и жидким полупроводникам. Ленинград, ноябрь 1975. Л.: Наука, 1976
  13. Guintini J.C., Granier W., Zanchetta J.V., Taha A. J. Mater. Sci. Lett. 1990. V. 9. N 12. P. 1383
  14. Moharram A.H., Abdel-Rahim M.A., Afify N., El-Hosrey G. J. Mater. Sci. 1992. V. 27. N 3. P. 675
  15. Satich V. J. Appl. Phys. 1990. V. 68. N 7. P. 3413
  16. Mooser E., Pearson W.B. J. of Electronics. 1956. V. 1. P. 629
  17. Куликов Г.С., Мездрогина М.М., Першеев С.К., Абдурахманов К.П. ФТП. 1993. Т. 27. N 8. С. 1389
  18. Куликов Г.С., Мездрогина М.М., Першеев С.К. ФТП. 1993. Т. 27. N 8. С. 1392
  19. Oheda H. J. of Non-Cryst. Sol. 1991. V. 137 \& 138. P. 1147
  20. Аморфные полупроводники / Под ред. М.Бродски. М.: Мир, 1982. С. 420
  21. Алексеевский В.Б. ДАН СССР. 1990. V. 311. N 5
  22. Веснин Ю.И. Деп. ВИНИТИ N 2123-70D. Новосибирск, 1970
  23. Malinovsky V.K., Zhdanov V.G. J. of Non-Cryst. Sol. 1982. V. 51. P. 31
  24. Gudaev O.A., Malinovsky V.K., Paul E.E., Treshikhin V.A. Solid State Commun. 1989. V. 72. N 8. P. 790
  25. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 671 с
  26. Maeda K., Umezu I. J. Non-Cryst. Sol. 1991. V. 137 \& 138. P. 883
  27. Kimura K., Tada T., Hori A., Furukava A. J. of Non-Cryst. Sol. 1991. V. 137 \& 138. P. 919

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme