Сверхрешетки GaAs/AlGaAs с конечным числом периодов и локализованными электронными состояниями
Врубель М.М.1, Борздов В.М.1
1Белорусский государственный университет Минск
Поступила в редакцию: 18 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.
Рассмотрены особенности влияния электрического поля на сверхрешетку с конечным числом слоев. Рассматриваются регулярная сверхрешетка и сверхрешетки с несколькими ''дефектными'' квантовыми ямами. Обнаруживается, что присутствие локализованных состояний приводит к перераспределению плотностей локализации и вносит новые черты в зависимости энергий от напряженности электрического поля для всех состояний сверхструктуры.
- Гашимадзе Н.Ф., Ивченко Е.Л., Кособукин В.А. ФТП. 1989. Т. 23. N 5. С. 839--844
- Ohno H., Mendez E.E., Brum J.A., Hong J.M., Agullo-Rueda F., Chang L.L., Esaki L. Phys. Rev. Lett. 1990. V. 64. N 21. P. 2555--2558
- Agullo-Rueda F., Mendez E.E., Ohno H., Hong J.M. Phys. Rev. B. 1990. V. 42. N 2. P. 1470--1473
- Hutchings D.S. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. N 11. P. 1082--1084
- Ivanov S.V., Kop'ev P.S., Shubina T.V., Toropov A.A. Sem. Sci. Tech. 1993. V. 8. P. 357--363
- Справочник по специальным функциям с формулами, графиками и математическими таблицами / Под ред. М.Абрамовица и И.А.Стигуна. М.: Наука, 1979. 832 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
