Вышедшие номера
Точечные дефекты и излучательный распад низкоэнергетических электронных возбуждений в BeO
Огородников И.Н.1, Иванов В.Ю.1, Кружалов А.В.1
1Уральский государственный технический университет Екатеринбург
Поступила в редакцию: 12 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Проведено исследование элементарных точечных дефектов и излучательного распада низкоэнергетических электронных возбуждений в гексагональном широкозонном диэлектрике - оксиде бериллия. На основе анализа комплекса экспериментальных и теоретических данных показано, что в BeO как при электронной, так и при дырочной рекомбинации на собственных и примесных дефектах происходит преимущественное возбуждение автолокализованного экситона. Его излучательный распад обусловливает собственную люминесценцию BeO 4.9 eV, параметры которой не наследуют характеристик центров рекомбинации.