Издателям
Вышедшие номера
Влияние глубоких центров прилипания на люкс-амперные характеристики диэлектрика при двухфотонном примесном возбуждении
Мельников М.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Рассмотрены люкс-амперные характеристики диэлектрика с глубокими двухфотонно ионизуемыми примесными центрами и однофотонно ионизуемыми уровнями прилипания. Показан степенной характер зависимости плотности тока j от интенсивности фотовозбуждения P: j~ Pk, где k может принимать значения от 1/2 до 2, кратные 1/2, причем конкретная величина k определяется как соотношением равновесных концентраций центров рекомбинации и уровней прилипания в образце, так и зарядовыми состояниями, в которых могут находиться последние. Исследовано влияние дополнительной инфракрасной подсветки на вид j(P). Результаты хорошо согласуются с последними измерениями фототока, проведенными на широкозонных (Eg= 5 eV) кристаллах Li12Ge7O15:Cr.
  1. Басун А.С., Каплянский А.А., Феофилов С.П., Мельников А.К., Севастьянов Б.К. ФТТ. 1994. Т. 36. N 5. С. 1451--1460
  2. Sommerfeldt R., Holtman L., Kratzig E. Ferroelectrics. 1989. V. 92. P. 219--225
  3. Basun S.A., Feofilov S.P., Kaplyanskii A.A., Bykov A.B., Sevastyanov B.K., Sharonov M.Yu. J. Lumin. 1992. V. 53. P. 24--27
  4. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М., 1962. 558 с
  5. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. М., 1984. Т. I. 350 с
  6. Кацавец Н.И., Леонов Е.И., Шадрин Е.Б., Щербаков А.Г. ЖТФ. 1984. Т. 54. N 3. С. 589--594

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.