Вышедшие номера
Распределение деформации в двойных гетероструктурах InAsSbP/InGaAsSb
Аргунова Т.С.1, Кютт Р.Н.1, Матвеев Б.А.1, Рувимов С.С.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии проведен анализ структурных дефектов в гетерокомпозициях InAsSbP/InGaAsSb. Полученные данные представлены для двух направлений в плоскости рассеяния - вдоль вектора обратной решетки и перпендикулярно к нему. Из распределения интегральной интенсивности вдоль дифракционного вектора выявлена локализация сеток дислокаций несоответствия. Появление и расположение сеток дислокаций обсуждается в связи с распределением деформации по толщине и пониженной пластичностью твердых растворов InAsSbP и InGaAsSb. Рассматривается влияние дефектов несоответствия на характеристики гетеролазеров.