Вышедшие номера
Процессы образования и отжига точечных дефектов структуры в эпитаксиальных пленках YBa 2Cu 3O 7-delta, подвергнутых gamma-облучению
Емцев В.В.1, Давыдов В.Ю.1, Карманенко С.Ф.1, Полоскин Д.С.1, Гончарук И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Исследовались структурные изменения в кристаллической решетке эпитаксиальных пленок YBa2Cu3O7-delta, подвергнутых гамма-облучению 60Co, и связанные с ними изменения температурных зависимостей удельного сопротивления ВТСП-пленок. Для начальных этапов гамма-облучения сделаны оценки сечения образования дефектов. По спектрам комбинационного рассеяния света выявлена роль межзеренных границ как эффективных стоков радиационных дефектов. Анализ экспериментальных данных позволяет сделать заключение об определяющем участии ионизации в образовании дефектов в кислородной подрешетке.