Модификация свойств пленок a-Si 1-xCx:H путем высокотемпературного отжига
Трапезникова И.Н.1, Коньков О.И.1, Теруков Е.И.1, Ястребов С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.
- Bullot J., Schmidt M.P. Phys. Stat. Sol. 1987. V. 143. N 1. P. 324--411
- Liedtke S., Jahn K., Finger F., Fuhs W. J. Non. Cryst. Sol. 1987. V. 97/98. N 5. P. 1083--1086
- Demichelis F., Crovini G., Pirri C.F., Tresso E., Giamello E., DellaMea G., Phys. B. 1990. V. 170. N 1. P. 149--152
- Beyer W. J. Non. Cryst. Sol. 1987. V. 97/98. P. 1027--1034
- Shimizu T., Kumeda M. Amorphous Silicon and Related Materials / Ed. H. Fritshe World Scientific Publishing Company, 1988. P. 633--655
- Коньков О.И., Трапезникова И.Н., Власенко М.П., Теруков Е.И., Виолина Г.Н. ФТТ. 1992. Т. 34. N 1. P. 326--328
- Аверьянов В.Л., Федоров В.А., Ястребов С.Г. ЖТФ. 1994. Т. 36. N 1. C. 103--117
- Физика гидрогенизированного аморфного кремния / Под ред. Дж. Джоунополуса и Дж. Люковски. М.: Мир, 1987. Т. 1
- Stein H.I., Myers S.M., Follstaedt D.M. J. Appl. Phys. 1993. V. 73. N 6. P. 2755--2764
- Konkov O.I., Trapeznikova I.N., Terukov E.I. 5th Intern. Conf. on SiC and Related Materials Washington, D.C., 1993. P. Mo C4
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.