Вышедшие номера
Исследование диффузионного и излучательного транспорта электронов в p-GaAs методом оптической ориентации
Джиоев Р.И.1, Захарченя Б.П.1, Кавокин К.В.1, Пак П.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

По спектральной зависимости степени циркулярной поляризации люминесценции и деполяризации ее в поперечном магнитном поле изучается диффузионный и излучательный перенос оптически ориентированных электронов в p-GaAs при 77 K. Определена диффузионная длина среднего спина электронов: Ls=1.4 mu m. Проведен теоретический расчет спектральной зависимости степени поляризации люминесценции с учетом переизлучения. Из сравнения с результатами экспериментов определены время жизни в объеме кристалла tauv=1.4· 10-10 s и внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации q=0.67.