Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение пленок фуллеренов на полупроводниковых подложках GaAs

Куницын А.Е.¹, Козырев С.В.¹, Новиков С.В.¹, Савельев И.Г.¹, Чалдышев В.В.¹, Шаронова Л.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 декабря 1993 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Разработаны две технологические методики, позволяющие получать пленки фуллеренов на GaAs подложках из неочищенной фуллеренсодержащей сажи, т.е. совмещать процесс выделения фуллеренов из сажи с выращиванием пленки. Проведенные исследования полученных пленок показали, что наилучшие результаты получаются при выращивании на холодных подложках путем переноса испаренного материала в градиенте температур.

Sakurai M., Tada H., Saiki K., Koma A. Jap. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. P. L1892
Palstra T.T.M., Haddon R.C., Hebard A.F., Zaanen J. Phys. Rev. Lett. 1992. V. 68. P. 1054
Haufler R.E., Chai Y., Chibante L.P.F., Fraelich M.R., Weisman R.B., Curl R.F., Smalley R.E. J. Chem. Phys. 1990. V. 94. P. 8634
Pichler K., Graham S., Gelsen O.M. J. Phys.: Condens. Matter. 1990. V. 3. P. 9259
Zhu Q., Zhou C., Covstel N., Vaughan G.B.M. Science. 1991. V. 254. P. 545
Watanabe I., Inoue M. Jpn. J. Appl. Phys. 1983. V. 22. P. L176
Reber G., Yee L., McKiernan J., Zink J.I., Williams R.S., Tong W.M., Ohlberg D.A.A., Whetten R.L., Diederich F.N. J. Phys. Chem. 1991. V. 95. P. 2127

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель