Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Получение пленок фуллеренов на полупроводниковых подложках GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.
Разработаны две технологические методики, позволяющие получать пленки фуллеренов на GaAs подложках из неочищенной фуллеренсодержащей сажи, т.е. совмещать процесс выделения фуллеренов из сажи с выращиванием пленки. Проведенные исследования полученных пленок показали, что наилучшие результаты получаются при выращивании на холодных подложках путем переноса испаренного материала в градиенте температур.
- Sakurai M., Tada H., Saiki K., Koma A. Jap. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. P. L1892
- Palstra T.T.M., Haddon R.C., Hebard A.F., Zaanen J. Phys. Rev. Lett. 1992. V. 68. P. 1054
- Haufler R.E., Chai Y., Chibante L.P.F., Fraelich M.R., Weisman R.B., Curl R.F., Smalley R.E. J. Chem. Phys. 1990. V. 94. P. 8634
- Pichler K., Graham S., Gelsen O.M. J. Phys.: Condens. Matter. 1990. V. 3. P. 9259
- Zhu Q., Zhou C., Covstel N., Vaughan G.B.M. Science. 1991. V. 254. P. 545
- Watanabe I., Inoue M. Jpn. J. Appl. Phys. 1983. V. 22. P. L176
- Reber G., Yee L., McKiernan J., Zink J.I., Williams R.S., Tong W.M., Ohlberg D.A.A., Whetten R.L., Diederich F.N. J. Phys. Chem. 1991. V. 95. P. 2127
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
