Сравнительные исследования поверхности GaAs(100) в статических условиях и в процессе эпитаксиального роста из молекулярных пучков
Алексеев А.Н.1, Карпов С.Ю.1, Мячин В.Е.1, Погорельский Ю.В.1, Русанович И.Ю.1, Соколов И.А.1, Фокин Г.А.1
1Центр перспективных технологий и разработок Санкт-Петербург
Поступила в редакцию: 17 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.
Проведено исследование температурной зависимости интенсивности зеркального рефлекса при дифракции электронов на поверхности GaAs(100) в статических условиях I st и в режиме роста I din. Зависимость I din(T) оказалась в целом аналогичной зависимости I st(T), за исключением области низких температур, близких к структурному переходу (2x 4)-> c(4x 4). Наблюдаемые отличия можно объяснить, предполагая, что переход (2x 4)-> c(4x 4) происходит через промежуточную (возможно, метастабильную) поверхностную структуру, имеющую реконструкцию (2x 1). Исследования динамики прямого перехода c(4x 4)-> (2x 4) показали, что переход c(4x 4)-> (2x 4) происходит в отсутствие кинетического ограничения скорости превращения. Показано, что скорость обратного перехода (2x 4)-> c(4x 4) ограничивается кинетикой процесса адсорбции мышьяка на поверхности. Экспериментально определено количество галлия Deltatheta Ga, индуцирующего структурный переход c(4x 4)-> (2x 4). Величина Deltatheta Ga оказалась не зависящей от внешнего потока Ga и равной 0.20± 0.04 монослоя.
- Harris J.J., Joyce B.A., Dobson P.J. Surf. Sc. 1981. V. 103. N 1. P. L90--L96
- Neave J.H., Joyce B.A. Dobson P.J., Norton N. Appl. Phys. A. 1983. V. 31. N 1. P. 1--5
- Van Hove J.M., Coben P.I. Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. N 7. P. 726--728
- Kojima T., Kawai N.J., Nakagawa T., Ohta K., Sakamoto T. Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. N 3. P. 286--288
- Van Hove J.M., Coben P.I. J. Crystal Growth. 1987. V. 81. N 1--4. P. 13--18
- Dobson P.J., Joyce B.A., Neave J.H., Zhang J. J. Crystal Growth. 1987. V. 81. N 1--4. P. 1--8
- Munekata H., Chang L.L., Woronick S.C., Kao Y.H. J. Crystal Growth. 1987. V. 81. N 1--4. P. 237--242
- Van Hove J.M., Lent C.S., Pukite P.R., Coben P.I. J. Vac. Sci. Technol. B. 1983. V. 1. N 3. P. 741--746
- Lent C.S., Coben P.I. Surf. Sci. 1984. V. 139. N 1. P. 121--154
- Altsinger R., Busch H., Horn M., Henzler M. Surf. Sci. 1988. V. 200. N 2/3. P. 235--246
- Horn M., Henzler M. J. Crystal Growth. 1987. V. 81. N 1--4. P. 428--433
- Newstead S.M., Kubiak R.A.A., Parker F.H.C. J. Crystal Growth. 1987. V. 81. N 1--4. P. 49--54
- Panish M.B. J. Electrochem. Soc. 1970. V. 117. N 9. P. 1202--1203
- Daweritz L., Hey R. Surf. Sci. 1990. V. 236. N 1/2. P. 15--22
- Biegelsen D.K., Bringans R.D., Northrup J.F., Swartz L.E. Phys. Rev. B. 1990. V. 41. N 9. P. 5701--5706
- Briones F., Golmayo D., Gonzalez L., De Miguel J.L. Jap. J. Appl. Phys. 1985. V. 24. N 6. P. L478--L480
- Deparis C., Massies J. J. Crystal Growth. 1991. V. 108. N 1/2. P. 157--172
- Neave J.H., Joyce B.A. Dobson P.J. Appl. Phys. A. 1984. V. 34. N 3. P. 179--184
- Chen P., Madhukar A., Kim J.Y., Lee T.C. Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. N 10. P. 650--652
- Fvans K.R., Stutz C.F., Lorance D.K., Jones R.L. J. Vac. Sci. Technol. B. 1989. V. 7. N 2. P. 259--263
- Van der Wagt J.P.A., Bacher K.L., Solomon G.S., Harris J.S., Jr. J. Vac. Sci. Techn. B. 1992. V. 10. N 2. P. 825--828
- Brioness F., Golmayo D., Gonsalez L., Ruiz A. J. Cryst. Growth. 1987. V. 81. N 1--4. P. 19--24
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук