Исследование рентгеновским методом структуры новых образцов эпитаксиальных слоев твердых растворов системы GaP-GaAs дополнительно к ранее исследованным авторами позволяет оценить диапазон изменений в структуре при изменении состава и режима выращивания. Ближайшее окружение атомов галлия меняется от сводящегося к двум конфигурациям до включающего в себя три-четыре варианта. Последнее в одном случае могло реализоваться лишь в сверхструктуре по типу, не характерному для упорядоченных структур сложных соединений-аналогов. Особенностью доменной структуры, появляющейся вследствие температурных изменений конфигурации связей, оказалось формирование предельно большого объема субдоменов по сравнению с незначительным в ранее исследованных образцах. Найдены новые виды анизотропии атомных смещений, понижающей общую симметрию структуры. Явление, как и раньше, вызывается преимущественной ориентацией доменов и субдоменов, но в одном случае - и микрообластей сверхструктуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.