Вышедшие номера
Исследование сегнетоэлектрических свойств кристаллов ниобата бария-стронция методом сканирующей зондовой микроскопии
Волк Т.Р.1, Симагина Л.В.1, Гайнутдинов Р.В.1, Иванова Е.С.1, Ивлева Л.И.2, Митько С.В.3
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
3ЗАО НТ-МДТ, Москва, Россия
Email: volk-1234@yandex.ru
Поступила в редакцию: 10 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

Исследованы сегнетоэлектрические свойства релаксорного сегнетоэлектрика SrxBa1-xNb2O6 различных составов методом сканирующей зондовой микроскопии, а также макроскопическими поляризационными методами. Результаты измерения петель гистерезиса микро- и макроскопическими методами выявили частотную зависимость коэрцитивного поля в области f=(0.03-250) Hz; с уменьшением частоты Ec регулярно уменьшается. При наблюдении кинетики доменов под действием постоянного напряжения, приложенного к зонду АСМ, обнаружено боковое движение доменных стенок под действием полей E<< Ec. Этот результат качественно объясняет медленную, с гигантскими временами, релаксацию поляризации в SrxBa1-xNb2O6. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 09-02-00969а и 11-02-00888а), а также программы ОФН РАН "Физика новых материалов и структур".
  1. L. Kholkin, S.V. Kalinin, A. Roelofs, A. Gruverman. Inm: Electrical and Electromechanical Phenomena at the Nanoscale, Vol. I, Ed. by S. Kalinin and A. Gruverman. Springer, N.Y., (2007). P. 173
  2. R.V. Gainutdinov, T.R. Volk, O.A. Lysova, I.I. Razgonov, A.L. Tolstikhina, L.I. Ivleva. Appl. Phys. B 95, 505 (2009)
  3. Р.В. Гайнутдинов, Т.Р. Волк, О.А. Лысова, А.Л. Толстихина, Л.И. Ивлева. Письма в ЖЭТФ 90, 330 (2009)
  4. T.R. Volk, L.V. Simagina. R.V. Gainutdinov, A.L. Tolstikhina, L.I. Ivleva. J. Appl. Phys. 108, 042 010 (2010)
  5. P. Molina, M.O. Ramirez, L.E. Bausa. Adv. Func. Mater. 18, 709 (2008)
  6. X. Vidal, J. Martorell. Phys. Rev. Lett. 97, 013 902 (2006)
  7. L.I. Ivleva, N.V. Bogodaev, N.M. Polozkov, V.V. Osiko. Opt. Mat. 4, 168 (1995)
  8. M.O. Ramirez, J.J. Romero, P. Molina, L.E. Bausa. APB 81, 827 (2005)
  9. В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк, Д.И. Ивлева. ЖЭТФ 93, 678 (2001)
  10. А.В. Анкудинов, А.Н. Титков. ФТТ 47, 1110 (2005)
  11. G. Rosenman, P. Urenski, A. Agronin, Y. Rosenwaks, M. Molotskii. Appl. Phys. Lett. 82, 104 (2003)
  12. S.V. Kalinin, D.A. Bonnell. Phys. Rev. B 65, 125 408 (2002)
  13. J. Mele. An. J. Phys. 69, 557 (2001)
  14. G. van der Zwan, R.M. Mazo. J. Chem. Phys. 82, 3344 (1985)
  15. G. Zavala, J.H. Fendler, S. Trolier-McKinstry. J. Appl. Phys. 81 7480 (1997)
  16. Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, М. (1982). С. 399
  17. T. Granzow, U. Doerfler, Th. Woike, M. Woehlecke, R. Pankrath, M. Imlau, W. Kleemann. PRB 63, 174 101 (2001)
  18. D. Viehland, Y-H. Chen. J. Appl. Phys. 88, 6696 (2000)
  19. D.V. Isakov, T.R. Volk, M.S. Belsley, L.I. Ivleva. Appl. Phys. Lett. 92, 032 904 (2008)
  20. I. Agronin, M. Molotskii, Y. Rosenwaks, G. Rosenmaan, B.J. Rodriguez, A.I. Kingon, A. Gruverman. J. Appl. Phys. 99, 104 102 (2006)
  21. R.C. Miller, A. Sabage. Phys. Rev. 115, 1176 (1959)
  22. T.R. Volk, D. Isakov, N. Ivanov, L.I. Ivleva, K. Betzler, A. Tunuagi, M. Woehlecke. J. Appl. Phys. 97, 074 102 (2005)
  23. Т.Р. Волк, Д.В. Исаков, Л.И. Ивлева, ФТТ, 45, 1463 (2003)
  24. R.V. Chamberlin. Phase Transitions 65, 169 (1998)
  25. W. Kleemann. J. Material Science 41, 129 (2006)
  26. T. Granzow, V. Doerfler, T. Woike, M. Woehlecke, R. Pankrath, M. Imlau, W. Kleemann. Europhys. Lett. 57, 597 (2002)
  27. P. Paruch, T. Giamaarchi, T. Tybell, J.-M. Triscone. J. Appl. Phys. 100, 051 6087 (2006)
  28. N.A. Pertsev, A. Petraru, H. Kohlstedt, R. Waser, I.K. Bdikin, D. Kiselev, A.L. Kholkin. Nanotechnology 19, 375 703 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.