Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1994, выпуск 6 » Статья стр. 1679
<<<>>>
Собственные электронные возбуждения галогенсодержащих каркасных алюмосиликатов
Денкс В.П.1
1Институт физики АН Эстонии Тарту
Поступила в редакцию: 4 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.
PDF версия
Проанализированы опубликованные ранее и новые экспериментальные данные по спектрам поглощения монокристаллов гидроксил- и гидроксилгалогенсодалитов, а также по спектрам возбуждения стационарной и рекомбинационной люминесценции, создания центров окраски и другие характеристики порошковых катодохромных содалитов состава Na6Al6Si6O24(NaX)2n, где X=Cl, Br или I, измеренные в широкой области спектра. Впервые рассмотрена возможная зонная структура содалитов и показано, что край фундаментального поглощения алюмосиликатного каркаса располагается при ~ 8 eV, а максимумы низкоэнергетических полос поглощения частиц, внедренных в полости каркаса, находятся при ~= 7.5 (ионы Cl-), ~= 6.9 (Br-), ~= 5.9 (I-), ~= 6.6 (OH-) и ~= 7.4 eV (молекулы H2O).
  1. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989. 264 с
  2. Денкс В.П. Труды ИФ АН Эстонии. 1985. Т. 55. С. 14--71
  3. Faughnan B.W., Gorog I., Heyman P.M., Shidlovsky I. Advan. in Image Pickup and Display. 1981. V. 4. P. 87--155
  4. Брек Д. Цеолитовые молекулярные сита. М.: Мир, 1976. 782 с
  5. Жданов С.П., Хвощев С.С., Самулевич Н.Н. Синтетические цеолиты.М.: Химия, 1981. 264 с
  6. Денкс В.П., Дудельзак А.Э., Мельников О.К., Триодина Н.С., Абрамов В.Н. Кристаллография. 1980. Т. 25. N 3. С. 630--634
  7. Fox M.F., McIntyre R., Hayon E. Faraday Discuss. Chem. Soc. 1977. V. 64. P. 167--172
  8. Mijata T. J. Phys. Soc. Japan. 1971. V. 31. N 2. P. 529--551
  9. Fox M.F., Barker B.E., Hayon E. J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1978. V. 74. Pt 1. N 7. P. 1776--1785
  10. Onaka R., Takahashi T. J. Phys. Soc. Japan. 1968. V. 24. N 3. P. 548--550
  11. Quickenden T.I., Irvin J. J. Chem. Phys. 1980. V. 72. N 8. P. 4416--4428
  12. Abramov V.N., Ivanov V.G., Kuznetsov A.I., Meriloo I.A., Musatov M.I. Phys. Stat. Sol. (a). 1978. V. 48. N 2. P. 287--292
  13. Силинь А.Р., Трухин А.Н. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном SiO_2. Рига: Зинатне, 1985. 244 с
  14. Siegel G.H. J. Non-Cryst. Sol. 1973/74. V. 13. N 3. P. 372--398
  15. Fox M.F., Hayon E. J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1977. V. 73. N 6. P. 872--882
  16. Мельников О.К., Лобачев А.Н., Гречушников Б.Н., Триодина Н.С., Паршин А.Я. Сб. "Рост кристаллов из высокотемпературных водных растворов". М.: Наука, 1977. С. 5--18
  17. Денисов Р.А., Денкс В.П., Дудельзак А.Э., Миленина Р.В., Руус Т.В. Труды ИФ АН Эстонии. 1977. Т. 47. С. 142--167
  18. Fox M.F., Hayon E. J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1977. V. 73. Pt. 1. N 7. P. 1003--1016
  19. Денкс В.П., Дудельзак А.Э., Лущик Ч.Б., Руус Т.В., Сощин Н.П., Трофимова Т.И. Журн. прикл. спектр. 1976. Т. 24. N 1. С. 37--43
  20. Chang I.F., Onton A. J. Electron. Mater. 1973. V. 2. N 1. P. 17--46
  21. Денисов Р.А., Денкс В.П., Дудельзак А.Э., Осминин В.С., Руус Т.В. Журн. прикл. спектр. 1977. Т. 27. N 1. С. 149--154
  22. Денкс В.П. ФТТ. 1993. Т. 35. N 6. С. 1499--1507
  23. Денкс В.П., Руус Т.В. Труды ИФ АН Эстонии. 1980. Т. 51. С. 97--124
  24. Bhalla R.J. J. Appl. Phys. V. 45. N 9. P. 3703--3709
  25. Богданов Е.В., Демиденко В.А., Денкс В.П., Корсаков В.С. Труды ИФ АН Эстонии. 1985. Т. 57. С. 147--156
  26. Лайсаар А.И., Завт Г.С., Кирс Я.Я., Щербаков В.С. Труды ИФ АН Эстонии. 1989. Т. 63. С. 177--222
  27. Денкс В.П., Лейман В.И. ФТТ. 1968. Т. 10. N 6. С. 1812--1818
  28. Денкс В.П., Мере А.Л., Миленина Р.В. Труды ИФ АН Эстонии. 1983. Т. 54. С. 167--187
  29. Texter J., Strome D.H., Herman R.S., Klier K. J. Phys. Chem. 1977. V. 81. N 4. P. 333--338
  30. Денкс В.П., Руус Т.В., Тале И.А. Труды ИФ АН Эстонии. 1979. Т. 50. С. 55--78
  31. Лущик Ч.Б. Труды ИФ АН Эстонии. 1966. Т. 31. С. 19--83
  32. Ильмас Э.Р., Лущик Ч.Б. Труды ИФ АН Эстонии. 1966. Т. 34. С.3--29
  33. Шкловский Б.И., Эфрос А.А. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 416 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme